[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201210468856.2
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN103137574A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 井原匠
• 申請（專利權）人: 富士通半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L21/50
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;張志杰

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

半導體元件，設置在所述襯底上方；

熱傳導材料，設置在所述半導體元件上方；以及

散熱器，設置在所述熱傳導材料上方，

所述散熱器具有布置在與所述半導體元件相對的區域外側且朝所述襯底突出的多個突起。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中沿與所述半導體元件相對的所述區域的周圍布置所述多個突起。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括多個電子部件，布置在位于所述襯底上方的所述半導體元件外側，其中所述多個突起選擇性地布置在所述多個電子部件上方以使得不接觸到所述多個電子部件。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括多個電子部件，布置在位于所述襯底上方的所述半導體元件外側，其中所述多個突起布置在所述半導體元件與所述電子部件之間以使得不接觸到所述襯底。

5.根據權利要求1到4中任一項所述的半導體器件，其中位于半導體元件側的末端處的所述多個突起的突起位置與所述半導體元件的末端的位置相對應。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個突起包括從所述半導體元件向外延伸的突起。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述熱傳導材料設置在所述半導體元件和與所述半導體元件相對的所述區域之間，且位于所述多個突起之間。

8.一種半導體器件制造方法，所述方法包括：

在襯底上方設置半導體元件；

在所述襯底的設置有所述半導體元件的表面上方設置散熱器，熱傳導材料設置在所述半導體元件與所述散熱器之間；以及

將所述散熱器朝所述襯底進行加壓，并對所述熱傳導材料進行加熱，

所述散熱器具有布置在與所述半導體元件相對的區域外側且朝所述襯底突出的多個突起。

9.根據權利要求8所述的方法，其中在對所述熱傳導材料進行加熱期間，所述熱傳導材料從與所述半導體元件相對的所述區域流出且被容納在所述多個突起之間。

10.一種半導體器件，包括：

襯底；

半導體元件，設置在所述襯底上方；

熱傳導材料，設置在所述半導體元件上方；以及

散熱器，設置在所述熱傳導材料上方，

所述散熱器具有設置在與所述半導體元件相對的區域外側的網狀布線構件。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中沿與所述半導體元件相對的所述區域的周圍設置所述網狀布線構件。

12.根據權利要求10所述的半導體器件，還包括多個電子部件，布置在位于所述襯底上方的所述半導體元件外側，其中所述網狀布線構件選擇性地設置在所述多個電子部件上方，以使得不接觸所述多個電子部件。

13.根據權利要求10所述的半導體器件，其中位于半導體元件側的所述網狀布線構件的末端的位置對應于所述半導體元件的末端的位置。

14.根據權利要求10到13中任一項所述的半導體器件，其中所述熱傳導材料設置在所述半導體元件和與所述半導體元件相對的所述區域之間，且位于所述網狀布線構件中。