[發明專利]單晶測試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法無效
| 申請號： | 201210462274.3 | 申請日： | 2012-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN102925898A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發明（設計）人： | 周聰;賀賢漢 | 申請（專利權）人： | 上海申和熱磁電子有限公司 |
| 主分類號： | C23F1/32 | 分類號： | C23F1/32;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海元一成知識產權代理事務所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 趙青 |
| 地址： | 200444 上海市寶*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測試 樣片 腐蝕 溶液 方法 | ||
【權利要求書】：
1.單晶測試樣片腐蝕溶液，其特征在于，包括：氫氧化鈉溶液，所述氫氧化鈉溶液的濃度為6%。
2.單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1，利用氫氧化鈉溶液對硅片表面進行腐蝕，其中所述氫氧化鈉溶液的濃度為6%；
S2，用純凈水對硅片進行清洗。
3.根據權利要求2所述的單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S1中腐蝕的溫度為75℃～85℃。
4.根據權利要求2所述的單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S1中腐蝕的時間為55分鐘。
5.根據權利要求2所述的單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S2中純凈水的電阻率大于等于1MΩ。
6.根據權利要求5所述的單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S2分為S2.1，用純凈水對硅片進行第一次清洗及S2.2，用純凈水對硅片進行第二次清洗。
7.根據權利要求6所述的單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S2.1中用純凈水對硅片進行第一次清洗的時間為30秒。
8.根據權利要求6所述的單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S2.2中用純凈水對硅片進行第二次清洗的時間為15分鐘。
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