[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其操作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210458652.0
• 申請日: 2012-11-14
• 公開（公告）號: CN103456364B
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金世訓(xùn)
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;郭放

提供了一種半導(dǎo)體存儲器件及其操作方法。所述半導(dǎo)體存儲器件包括：存儲器單元陣列，包括多個存儲器單元；以及外圍電路，針對所述多個存儲器單元之中的與一個字線連接且被相繼布置的第一存儲器單元、第二存儲器單元、第三存儲器單元和第四存儲器單元進(jìn)行編程；其中，所述外圍電路被配置成在第一時(shí)間間隔中對所述第一存儲器單元和所述第四存儲器單元進(jìn)行編程，且在第二時(shí)間間隔中對所述第二存儲器單元和所述第三存儲器單元進(jìn)行編程。提供了具有提高的性能的半導(dǎo)體存儲器件及其操作方法。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2012年5月29日提交的申請?zhí)枮?0-2012-0056776的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

多個實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件及其操作方法。

背景技術(shù)

即使沒有供給電源也可以保持寫入在存儲器單元中的數(shù)據(jù)而不是使數(shù)據(jù)消失的半導(dǎo)體存儲器件，具體來說，閃存存儲器件越來越多地持續(xù)被用作數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。然而，由于存在編程完成單元的閾值電壓分布會因?yàn)樵诰幊滩僮髌陂g出現(xiàn)的多種因素而出現(xiàn)變化的趨勢，所以閃存儲器件容易出現(xiàn)故障。

圖1是示出在編程操作期間出現(xiàn)的位線之間的干擾的視圖。在圖1中，示出了一般的閃存存儲器件的存儲器單元陣列100的一部分。

參見圖1，分別示出了第一至第六存儲器單元MC0~MC5。第一至第三存儲器單元MC0~MC2分別連接到字線WLn，第四至第六存儲器單元MC3~MC5分別連接到字線WLn+1。連接到同一字線的存儲器單元構(gòu)成至少一個頁。例如，當(dāng)每個存儲器單元是單級單元時(shí)，連接至字線WLn的第一至第三存儲器單元MC0~MC2和連接至字線WLn+1的第四至第六存儲器單元MC3~MC5分別構(gòu)成單個頁。

單個頁包括偶數(shù)頁和奇數(shù)頁。偶數(shù)頁包括連接到偶數(shù)位線BLe的單元。奇數(shù)頁包括連接到奇數(shù)位線BLo的單元。對連接到偶數(shù)位線BLe的單元進(jìn)行編程被稱作偶數(shù)頁編程，對連接到奇數(shù)位線BLo的單元進(jìn)行編程被稱作奇數(shù)頁編程。在對連接到同一字線的偶數(shù)頁MC1和奇數(shù)頁MC0、MC2進(jìn)行編程時(shí)，例如，順序執(zhí)行編程使得在字線WLn，偶數(shù)頁MC1被編程，隨后奇數(shù)頁MC0和MC2被編程，所以第一個編程的頁受到在下一頁上執(zhí)行的編程操作的干擾。結(jié)果，其上先完成編程的頁（即偶數(shù)頁MC1）上的閾值電壓發(fā)生變化。閾值電壓中的變化可以造成相鄰閾值電壓分布的重疊。隨著相鄰單元之間的間隔根據(jù)閃存器件的單元尺寸減少而變窄，這種現(xiàn)象出現(xiàn)的越來越多。因而，需要一種方法，其能防止由于閃存器件的編程操作期間在位線之間的干擾造成的閾值電壓分布特性的惡化。

發(fā)明內(nèi)容

各種實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體存儲器件，其具有改進(jìn)的性能特性和操作方法。

根據(jù)一個實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲器件包括：存儲器單元陣列，包括多個存儲器單元；以及外圍電路，被配置成針對所述多個存儲器單元之中的與字線連接且被相繼布置的第一存儲器單元、第二存儲器單元、第三存儲器單元和第四存儲器單元進(jìn)行編程；其中，所述外圍電路被配置成在第一時(shí)間間隔中對所述第一存儲器單元和所述第四存儲器單元進(jìn)行編程，且在第二時(shí)間間隔中對所述第二存儲器單元和所述第三存儲器單元進(jìn)行編程。

根據(jù)一個實(shí)施例的一種半導(dǎo)體存儲器件的操作方法，所述半導(dǎo)體存儲器件具有連接到字線且被相繼布置的第一存儲器單元、第二存儲器單元、第三存儲器單元和第四存儲器單元，所述方法包括：第一編程操作：對所述第一存儲器單元和所述第四存儲器單元進(jìn)行編程；以及第二編程操作：對所述第二存儲器單元和所述第三存儲器單元進(jìn)行編程。

根據(jù)一個實(shí)施例的一種半導(dǎo)體存儲器件，包括：存儲器單元陣列，包括多個存儲器單元；以及多個頁緩沖器，被配置成在所述多個存儲器單元上執(zhí)行編程操作；其中，所述多個頁緩沖器中的每個經(jīng)由位線對而連接到所述多個存儲器單元之中的相應(yīng)的存儲器單元；以及連接到兩個彼此相鄰的頁緩沖器的位線對之中的相鄰位線在同一編程操作期間被選中。

附圖說明