[發明專利]一種上蠟工藝

無效

• 申請號: 201210457559.8
• 申請日: 2012-11-15
• 公開（公告）號: CN103811595A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 張恒
• 申請（專利權）人: 張恒
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;B05C1/02
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 王澎

技術領域

本發明涉及一種上蠟工藝，屬于光電子領域。

背景技術

在LED生產領域中，為了提高芯片的散熱，往往需要將芯片進行減薄，而減薄非常容易將本來就易碎的芯片磨碎，目前，通常在減薄前，將芯片通過特定的減薄蠟黏貼在陶瓷盤上，而目前上蠟工藝通常不是很完善，因此在減薄過程中，仍然出現大量的碎片。

發明內容

本發明針對現有技術存在的不足，提供一種上蠟工藝。

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種上蠟工藝，其特征在于，所述工藝方法如下：

（1）將氮氣槍壓力調至0.6MPa，將氮氣槍槍口斜對芯片表面，打開氮氣槍，將芯片表面吹干凈；

（2）將蠟棒和陶瓷盤加熱至110℃，再將蠟滴涂在陶瓷盤上，每片消耗0.3g蠟；

（3）將wafer貼在陶瓷盤上，鋪蓋無塵紙，壓盤加壓2min，壓力0.6MPa；

（4）冷卻至40℃，取出陶瓷盤，上蠟結束。

本發明的有益效果是：本發明工藝將上蠟溫度及壓力進一步精確保證上蠟的均勻性，同時能夠有效的降低裂片率，保證了芯片的質量，從而提高了產品的利潤。

具體實施方式

以下對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。

一種上蠟工藝，其特征在于，所述工藝方法如下：

（1）將氮氣槍壓力調至0.6MPa，將氮氣槍槍口斜對芯片表面，打開氮氣槍，將芯片表面吹干凈；

（2）將蠟棒和陶瓷盤加熱至110℃，再將蠟滴涂在陶瓷盤上，每片消耗0.3g蠟；

（3）將wafer貼在陶瓷盤上，鋪蓋無塵紙，壓盤加壓2min，壓力0.6MPa；

（4）冷卻至40℃，取出陶瓷盤，上蠟結束。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。