[發明專利]鰭式場效應管的形成方法

有效

• 申請號: 201210454955.5
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN103811325A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 王新鵬;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底表面形成介質層；

刻蝕所述介質層和半導體襯底，形成若干間隔排列的第一凹槽；

在所述第一凹槽內填充滿隔離層；

去除所述介質層，在隔離層之間形成第二凹槽；

在所述第二凹槽內填充滿第一功能層；

通過氧致鍺聚集工藝對所述第一功能層表面進行處理，形成鍺硅層。

2.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，通過氧致鍺聚集工藝對所述第一功能層表面進行處理，形成鍺硅層包括：

在所述隔離層和第一功能層上表面由下至上依次沉積第二功能層和第三功能層，所述第二功能層的材料為鍺硅，所述第三功能層的材料為硅；

對所述第二功能層和第三功能層進行氫離子注入；

進行第一退火處理，使氫離子在第二功能層中擴散；

進行第二退火處理，使第二功能層中鍺離子進入第一功能層頂部部分厚度的第一功能層中，形成鍺硅層；

對所述第二功能層和第三功能層進行氧化處理；

進行第三退火處理，激活所述鍺硅層中鍺離子；

去除氧化處理后的第二功能層和第三功能層。

3.如權利要求2所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述第二功能層的厚度為40nm~400nm，所述第二功能層中鍺所占的質量百分比為15%~40%。

4.如權利要求2所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述第一退火處理的溫度為450℃~550℃，時間為25min~35min；所述第二退火處理的溫度為800℃~900℃，時間為55min~65min；所述氧化處理的溫度為1100℃~1200℃，所述第三退火處理的溫度為1150℃~1200℃，氣體為氮氣。

5.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述第一功能層的材料為單晶硅。

6.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，在所述第二凹槽內填充滿第一功能層的方法為外延生長工藝。

7.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，在形成鍺硅層之后，還包括：去除部分厚度的隔離層，形成隔離結構。

8.如權利要求7所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的隔離層的方法為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕的溶液為氫氟酸溶液。

9.如權利要求7所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，在去除部分厚度的隔離層，形成隔離結構之后，還包括：進行清洗工藝。

10.如權利要求9所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述清洗工藝的溶液為加入雙氧水的堿性溶液。

11.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，在所述半導體襯底表面形成介質層之前，還包括：在所述半導體襯底表面形成刻蝕停止層。

12.如權利要求11所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述介質層的材料為氮化硅，所述刻蝕停止層的材料為氧化硅。

13.如權利要求11所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，在形成第一凹槽之后，還包括：沿第一凹槽開口方向對所述介質層進行濕法回刻。

14.如權利要求13所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述濕法回刻去除介質層的厚度為10埃~30埃。

15.如權利要求11所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，去除所述介質層之后，還包括：去除所述刻蝕停止層。

16.如權利要求15所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，去除所述刻蝕停止層的方法為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕的溶液為氫氟酸溶液。