[發明專利]一種間斷脈沖電鍍Ni-W-納米CeF3復合鍍層的方法無效
| 申請號: | 201210453519.6 | 申請日: | 2012-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN103806055A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 劉茂見 | 申請(專利權)人: | 無錫三洲冷軋硅鋼有限公司 |
| 主分類號: | C25D5/18 | 分類號: | C25D5/18;C25D15/00;C25D3/56 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 武春華 |
| 地址: | 214100 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 間斷 脈沖 電鍍 ni 納米 cef sub 復合 鍍層 方法 | ||
1.一種間斷脈沖電鍍Ni-W-納米CeF3復合鍍層的電鍍方法,包括:
間斷脈沖電鍍參數為:工作時間2-4ms,停止時間1-2ms,脈沖頻率800-1200Hz,占空比0.1-0.3,平均電流密度0.5-2A/dm2。
2.一種間斷脈沖電鍍Ni-W-納米CeF3復合鍍層的電鍍方法,其特征在于,包括如下步驟:
先對納米CeF3顆粒進行分散處理,并配成在55~80℃穩定的懸濁電鍍液,然后對玻璃模具表面進行預處理,再將玻璃模具浸入懸濁電鍍液中,在攪拌下進行間斷脈沖電鍍,所述懸濁電鍍液包含作為主鹽的鎢酸鹽和Ni的氨基磺酸鹽、作為絡合劑的檸檬酸銨、以及納米CeF3微粒;所述的間斷脈沖電鍍參數為:工作時間2-4ms,停止時間1-2ms,脈沖頻率800-1200Hz,占空比0.1-0.3,平均電流密度0.5-2A/dm2。
3.根據權利要求2所述的電鍍方法,其特征在于,所述納米CeF3顆粒分散處理包括:先將納米CeF3顆粒放入丙酮中,超聲分散15~20分鐘,再烘干,然后加入去離子水,再加入共沉積促進劑0.1~1.0g/L、助分散劑0.3~0.6g/L,超聲分散1~2小時,得納米CeF3顆粒分散液。
4.根據權利要求2所述的電鍍方法,其特征在于,所述懸濁電鍍液的配制過程包括:先將含Ni-W的鍍液加熱到電鍍溫度55~80℃,并加入助分散劑0.5~1.0g/L,攪拌加熱15~20分鐘。再將分散處理后的納米CeF3顆粒分散液逐滴加入到所述鍍液中,同時對所述鍍液進行超聲攪拌,即配成在55~80℃穩定分散的懸濁電鍍液。
5.根據權利要求4所述的電鍍方法,其特征在于,所述懸濁電鍍液的組分和含量為:Na2WO4·2H2O?30~40g/L,Ni(NH2SO3)220~35g/L,(NH4)3C6H5O7·H2O53~80g/L,共沉積促進劑0.1~1.0g/L,助分散劑0.8~1.6g/L,納米CeF3微粒5~50g/L。
6.根據權利要求5所述的電鍍方法,其特征在于,所述共沉積促進劑為乙二胺、十六烷基三甲基溴化銨、多乙烯多胺中的一種或幾種的任意組合;所述助分散劑為辛基苯基聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚或壬基酚聚氧乙烯醚中的任何一種。
7.根據權利要求2所述的電鍍方法,其特征在于,所述懸濁電鍍液pH值為6~8,所述納米CeF3微粒的粒度為25~40nm,電鍍時攪拌速度為150~250rpm,溫度55~80℃,電流密度為1~8A/dm2。
8.根據權利要求4所述的電鍍方法,其特征在于,所述懸濁電鍍液pH值為6~8,所述納米CeF3微粒的粒度為25~40nm,電鍍時攪拌速度為150~250rpm,溫度55~80℃,電流密度為1~8A/dm2。
9.根據權利要求5所述的電鍍方法,其特征在于,所述懸濁電鍍液pH值為6~8,所述納米CeF3微粒的粒度為25~40nm,電鍍時攪拌速度為150~250rpm,溫度55~80℃,電流密度為1~8A/dm2。
10.根據權利要求6所述的電鍍方法,其特征在于,所述懸濁電鍍液pH值為6~8,所述納米CeF3微粒的粒度為25~40nm,電鍍時攪拌速度為150~250rpm,溫度55~80℃。
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