[發明專利]硫化鋅基片多光譜增透保護薄膜無效
| 申請號： | 201210453338.3 | 申請日： | 2012-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN102914807A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 董茂進;陳燾;王多書;熊玉卿;王濟洲;李晨;張玲 | 申請（專利權）人： | 中國航天科技集團公司第五研究院第五一0研究所 |
| 主分類號： | G02B1/11 | 分類號： | G02B1/11;G02B1/10 |
| 代理公司： | 甘肅省知識產權事務中心 62100 | 代理人： | 馬英 |
| 地址： | 730000*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硫化鋅 基片多 光譜 保護 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種硫化鋅基片多光譜增透保護薄膜，包括硫化鋅基片，其特征在于：所述硫化鋅基片的一面鍍制多光譜增透膜，一面鍍制多光譜保護膜。
2.根據權利要求1所述的一種硫化鋅基片多光譜增透保護薄膜，其特征在于：所述增透膜的鍍制材料由低折射率材料和高折射率材料組成。
3.根據權利要求2所述的一種硫化鋅基片多光譜增透保護薄膜，其特征在于：所述低折射率材料為氟化釔；高折射率材料為硫化鋅。
4.根據權利要求1所述的一種硫化鋅基片多光譜增透保護薄膜，其特征在于：所述保護膜的鍍制材料為氮氧化鉿。
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