[發明專利]連體IGBT器件及其加工方法

有效

• 申請號: 201210452249.7
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN102956638A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 嚴利人;劉道廣;劉志弘;張偉;周衛;崔杰
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01L27/082
• 分類號: H01L27/082;H01L29/739;H01L21/8222
• 代理公司: 北京中偉智信專利商標代理事務所 11325
• 代理人: 張岱

1.一種連體IGBT器件，其特征在于，所述器件包括至少兩個IGBT器件，兩個IGBT器件的漂移區互相連通，各IGBT器件獨立引出電極。

2.根據權利要求1所述的連體IGBT器件，其特征在于，所述連體IGBT器件由四個IGBT器件組成田字形，每個IGBT器件分別與相連的IGBT器件連通漂移區。

3.根據權利要求2所述的連體IGBT器件，其特征在于，左上角的IGBT器件和右下角的IGBT器件并聯形成第一組塊，右上角的IGBT器件和左下角的IGBT器件并聯形成第二組塊。

4.根據權利要求1所述的連體IGBT器件，其特征在于，所述連體IGBT器件由兩個IGBT器件組成，一IGBT器件占較大的芯片面積，作為承擔較大的電流的主開關器件，相連的另一IGBT器件占較小的芯片面積，作為起到加速主器件開關切換作用的輔助器件。

5.一種連體IGBT器件的加工方法，其特征在于，包括下述步驟：

5.1在第一導電類型的襯底晶圓片上，通過雜質摻雜和擴散得到第二導電類型的溝道區；制備柵極，通過雜質注入及摻雜激活工藝得到第一導電類型的源區；淀積保護介質層，開接觸孔，金屬化布線，上表面鈍化；

5.2在步驟5.1之前、之中或之后，在上表面開上槽，淀積鈍化層保護裸露部分；

5.3將晶圓片背面減薄；

5.4背面離子注入摻雜、退火、金屬化；

5.5在步驟5.4之前、之中或之后，在背面對應上槽的位置處開背槽；

5.6劃片，連體IGBT器件的各組成器件獨立引出電極；封裝。

6.根據權利要求5所述的連體IGBT器件的加工方法，其特征在于，步驟5.2中開上槽使用的是濕法腐蝕、干法刻蝕、干濕法復合刻蝕或激光燒蝕的方法。

7.根據權利要求5所述的連體IGBT器件的加工方法，其特征在于，步驟5.5中開背槽的步驟為：

5.5.1對應上槽的位置處在背面采用雙面對準光刻技術進行曝光；

5.5.2使用濕法腐蝕、干法刻蝕、干濕法復合刻蝕或激光燒蝕的方法開背槽。