[發明專利]反射陣面及反射陣列天線

有效

• 申請號: 201210447599.4
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN102983410A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 劉若鵬;季春霖;李星昆;殷俊
• 申請（專利權）人: 深圳光啟創新技術有限公司
• 主分類號: H01Q15/14
• 分類號: H01Q15/14;H01Q19/10;H01Q21/00;H01Q3/16;H01Q1/27
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1.一種反射陣面，其特征在于，所述反射陣面包括用于對入射電磁波進行波束調制的功能板以及設置在功能板一側的用于反射電磁波的反射層，所述功能板包括兩個或兩個以上的功能板單元，所述反射層包括與功能板單元對應數量的反射單元，所述功能板單元與其對應的反射單元構成一個用于移相的移相單元；所述反射陣面對與反射陣面法線方向呈預定角度范圍的入射電磁波具有聚焦能力。

2.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面對與反射陣面法線方向呈0-70度角度范圍的入射電磁波具有聚焦能力。

3.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面對與反射陣面法線方向呈10-60度角度范圍的入射電磁波具有聚焦能力。

4.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面對與反射陣面法線方向呈20-50度角度范圍的入射電磁波具有聚焦能力。

5.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面對與反射陣面法線方向呈30-40度角度范圍的入射電磁波具有聚焦能力。

6.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面對與反射陣面法線方向呈0-20度角度范圍的入射電磁波具有聚焦能力。

7.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面對與反射陣面法線方向呈10-30度角度范圍的入射電磁波具有聚焦能力。

8.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面對與反射陣面法線方向呈20-40度角度范圍的入射電磁波具有聚焦能力。

9.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面對與反射陣面法線方向呈30-50度角度范圍的入射電磁波具有聚焦能力。

10.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面對與反射陣面法線方向呈35-55度角度范圍的入射電磁波具有聚焦能力。

11.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面對與反射陣面法線方向呈50-70度角度范圍的入射電磁波具有聚焦能力。

12.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面中的所有移相單元的最大移相量與最小移相量的差值小于360度。

13.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述功能板為一層結構或由多個片層所構成的多層結構。

14.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述功能板單元包括基板單元以及設置在所述基板單元一側的用于對入射電磁波產生電磁響應的人造結構單元。

15.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述基板單元由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料制成。

16.根據權利要求15所述的反射陣面，其特征在于，所述高分子材料為聚苯乙烯、聚丙烯、聚酰亞胺、聚乙烯、聚醚醚酮、聚四氟乙烯或環氧樹脂。

17.根據權利要求14所述的反射陣面，其特征在于，所述人造結構單元為導電材料構成的具有幾何圖案的結構。

18.根據權利要求17所述的反射陣面，其特征在于，所述導電材料為金屬或非金屬導電材料。

19.根據權利要求18所述的反射陣面，其特征在于，所述金屬為金、銀、銅、金合金、銀合金、銅合金、鋅合金或鋁合金。

20.根據權利要求18所述的反射陣面，其特征在于，所述非金屬導電材料為導電石墨、銦錫氧化物或摻鋁氧化鋅。

21.根據權利要求14所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面還包括用于覆蓋所述人造結構單元的保護層。

22.根據權利要求21所述的反射陣面，其特征在于，所述保護層為聚苯乙烯塑料薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇脂塑料薄膜或耐沖性聚苯乙烯塑料薄膜。

23.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述功能板單元由基板單元及其上開設的單元孔構成。

24.根據權利要求1所述的反射陣面，其特征在于，所述反射陣面中的所有移相單元的最大移相量與最小移相量的差值的范圍為0～300度。