[發(fā)明專利]光學(xué)元件陣列、其形成方法、顯示裝置和電子設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210446981.3
• 申請日: 2012-11-05
• 公開（公告）號: CN103105673A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高井雄一;渡邊康博
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: G02B26/02
• 分類號: G02B26/02;G02B3/12;G09G3/34
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 柳春雷

1.一種光學(xué)元件陣列，包括：

彼此相對的第一襯底和第二襯底；

多個第一壁，其直立設(shè)置于所述第一襯底的、與所述第二襯底相對的內(nèi)表面上；

第一電極和第二電極，其分別設(shè)置在相鄰的所述第一壁的相對的壁面上；

第三電極，其設(shè)置于所述第二襯底的、與所述第一襯底相對的內(nèi)表面上；

第二壁，其部分地覆蓋所述第一襯底的內(nèi)表面和所述第一壁，以部分地或完全地圍繞介于第一襯底與第二襯底之間的空間的至少一部分；和

極性液體和非極性液體，其密封在由所述第一襯底、所述第二襯底和所述第二壁所圍繞的空間中，并具有不同的折射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件陣列，

其中，所述第二壁的上端高于所述第一壁的上端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件陣列，

其中，所述第一壁的上端與所述第二襯底之間形成有間隔件。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)元件陣列，

其中，所述間隔件和所述第二壁由相同材料制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)元件陣列，

其中，所述間隔件由阻光材料制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件陣列，還包括絕緣膜，所述絕緣膜分別覆蓋所述第一電極和所述第二電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)元件陣列，

其中，所述絕緣膜被設(shè)置成還覆蓋所述第二壁。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件陣列，

其中，所述第二壁被設(shè)置來選擇性地覆蓋所述第一電極和所述第二電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件陣列，

其中，所述第二壁被設(shè)置成與所述多個第一壁和由所述第一壁分隔開的多個空間交叉。

10.一種顯示裝置，包括：

顯示部；和

光學(xué)元件陣列；

其中，所述光學(xué)元件陣列包括：

彼此相對的第一襯底和第二襯底；

多個第一壁，其直立設(shè)置于所述第一襯底的、與所述第二襯底相對的內(nèi)表面上；

第一電極和第二電極，其分別設(shè)置在相鄰的所述第一壁的相對的壁面上；

第三電極，其設(shè)置于所述第二襯底的、與所述第一襯底相對的內(nèi)表面上；

第二壁，其部分地覆蓋所述第一襯底的內(nèi)表面和所述第一壁，并沿所述顯示部中的有效區(qū)域的外邊緣而設(shè)置；和

極性液體和非極性液體，其密封在由所述第一襯底、所述第二襯底和所述第二壁所圍繞的空間內(nèi)，并具有不同的折射率。

11.一種電子設(shè)備，其包括：

顯示裝置，其包括顯示部和光學(xué)元件陣列，

其中，所述光學(xué)元件陣列包括：

彼此相對的第一襯底和第二襯底；

多個第一壁，其直立設(shè)置于所述第一襯底的、與所述第二襯底相對的內(nèi)表面上；

第一電極和第二電極，其分別設(shè)置在相鄰的所述第一壁的相對的壁面上；

第三電極，其設(shè)置于所述第二襯底的、與所述第一襯底相對的內(nèi)表面上；

第二壁，其選擇性地覆蓋所述第一襯底的內(nèi)表面和所述第一壁，并沿所述顯示部中的有效區(qū)域的外邊緣而設(shè)置，和；

極性液體和非極性液體，其密封在由所述第一襯底、所述第二襯底和所述第二壁所圍繞的空間內(nèi)，并具有不同的折射率。

12.一種形成光學(xué)元件陣列的方法，包括：

形成多個直立設(shè)置于第一襯底的表面上的第一壁；

在所述第一壁的壁面上形成彼此相對的第一電極和第二電極；

形成第二壁以選擇性地覆蓋所述第一襯底的表面和所述第一壁，并部分地或完全地圍繞所述第一襯底上的空間；

設(shè)置第二襯底，其一個表面上設(shè)有第三電極，使得所述第三電極與所述第一襯底相對；和

將具有不同折射率的極性液體和非極性液體密封在由所述第一襯底、所述第二襯底和所述第二壁所圍繞的空間內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的形成光學(xué)元件陣列的方法，

其中，所述第二壁的上端高于所述第一壁的上端。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的形成光學(xué)元件陣列的方法，還包括：

在所述第一壁的上端與所述第二襯底之間形成間隔件。