[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和電子單元

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210445123.7
• 申請(qǐng)日: 2012-11-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103107292A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 野元章裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56;H01L51/05;H01L27/32
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 李曉冬

1.一種形成薄膜晶體管(TFT)的方法，包括：

形成TFT的本體區(qū)域，所述本體區(qū)域包括有機(jī)半導(dǎo)體材料；以及

形成包括有機(jī)絕緣材料的保護(hù)層，其中，形成所述保護(hù)層包括將所述TFT的本體區(qū)域與包括所述有機(jī)絕緣材料的溶液接觸，所述有機(jī)絕緣材料是當(dāng)所述溶液與所述有機(jī)半導(dǎo)體材料接觸時(shí)與所述有機(jī)半導(dǎo)體材料相位分離的材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將所述TFT的本體區(qū)域與所述溶液接觸包括：將所述TFT的本體區(qū)域與包括溶解在有機(jī)溶劑中的所述有機(jī)絕緣材料的液體溶液接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

為所述TFT形成與所述TFT的本體區(qū)域接觸的源極和/或漏極，

其中，形成所述保護(hù)層包括：形成與所述源極和/或漏極接觸的所述保護(hù)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

形成所述本體區(qū)域包括：形成所述本體區(qū)域以使所述本體區(qū)域在被從所述TFT的第一側(cè)觀察時(shí)具有第一表面積；并且

形成所述保護(hù)層包括：形成所述保護(hù)層以使所述保護(hù)層在被從所述TFT的第一側(cè)觀察時(shí)布置在所述本體區(qū)域上，并具有所述第一表面積。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

為所述TFT形成與所述TFT的本體區(qū)域接觸的導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電端子是所述TFT的源極或漏極；

在與所述TFT相同的襯底上形成第二TFT，其中，形成所述第二TFT包括：形成所述第二TFT的第二本體區(qū)域，形成包括所述有機(jī)絕緣材料的第二保護(hù)層，以及形成所述第二TFT的第二導(dǎo)電端子，其中所述第二本體區(qū)域包括所述有機(jī)半導(dǎo)體材料，；以及

形成與所述TFT的保護(hù)層和導(dǎo)電端子接觸并且與所述第二TFT的第二保護(hù)層和第二導(dǎo)電端子接觸的絕緣層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

形成所述保護(hù)層還包括：形成包括所述溶液的第一層，所述第一層包括具有第一濃度的所述有機(jī)絕緣材料的第一部分和具有第二濃度的所述有機(jī)絕緣材料的第二部分，所述第二濃度低于所述第一濃度；

形成包括所述溶液的第一層包括：形成包括所述溶液的液體，并增大所述液體的粘性；

將所述TFT的本體區(qū)域與所述溶液接觸包括：將所述本體區(qū)域與所述第一層的第二部分接觸；并且

形成所述保護(hù)層還包括：在將所述本體區(qū)域與所述溶液接觸之后移除所述有機(jī)溶劑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

形成所述本體區(qū)域包括：根據(jù)圖案形成所述本體區(qū)域；并且

形成所述保護(hù)層包括：

根據(jù)所述圖案形成第一層，所述第一層包括所述溶液；以及

將所述本體區(qū)域與所述第一層接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

形成所述TFT的導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電端子是所述TFT的源極或漏極；以及

形成與所述TFT的導(dǎo)電端子接觸的電極，其中，形成所述電極包括：移除所述保護(hù)層的一部分以在所述保護(hù)層中產(chǎn)生開(kāi)口，以及在所述開(kāi)口中形成所述電極的至少一部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

形成所述TFT包括：在襯底上形成所述TFT；

所述本體區(qū)域具有面向柵極的第一側(cè)和與所述第一側(cè)相反的第二側(cè)；并且

所述方法還包括：

在所述襯底與所述TFT的本體區(qū)域之間的位置處為所述TFT形

成通過(guò)柵極絕緣體與所述TFT的本體區(qū)域分離的柵極；以及

形成與所述本體區(qū)域接觸的所述TFT的導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電端子是所述TFT的源極或漏極并且在所述本體區(qū)域的第一側(cè)與所述本體區(qū)域接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

形成所述TFT包括：在襯底上形成所述TFT；

所述本體區(qū)域具有面向所述襯底的第一側(cè)和與所述第一側(cè)相反的第二側(cè)；并且

所述方法還包括：

在所述本體區(qū)域的第二側(cè)上為所述TFT形成與所述保護(hù)層接觸的柵極，所述柵極通過(guò)所述保護(hù)層與所述TFT的本體區(qū)域分離；以及

形成與所述本體區(qū)域接觸的所述TFT的導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電端子是所述TFT的源極或漏極并且在所述本體區(qū)域的第一側(cè)與所述本體區(qū)域接觸。