[發(fā)明專利]利用材料改性分離半導(dǎo)體裸片的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210442309.7
• 申請日: 2012-11-07
• 公開（公告）號: CN103094206B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曼弗雷德·恩格爾哈德特;彼得拉·菲舍爾
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種分離半導(dǎo)體裸片的方法，包括：

在半導(dǎo)體晶片上形成多孔區(qū)域；以及

在所述多孔區(qū)域處分離所述裸片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，所述半導(dǎo)體裸片包括碳化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，所述多孔區(qū)域使用陽極方式形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，所述陽極方式還包括氫氟酸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，使用機械裝置進(jìn)行所述分離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，化學(xué)地進(jìn)行所述分離。

7.一種分離半導(dǎo)體裸片的方法，包括：

在半導(dǎo)體晶片上形成多孔區(qū)域；

氧化所述多孔區(qū)域，以形成氧化區(qū)域；以及

在所述氧化區(qū)域處分離所述裸片。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，使用濕熱工序進(jìn)行所述氧化。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，所述多孔區(qū)域使用氫氟酸形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，使用機械裝置進(jìn)行所述分離。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，所述機械裝置包括基本上剛性的環(huán)。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，使用化學(xué)方式進(jìn)行所述分離。

13.一種分離半導(dǎo)體裸片的方法，包括：

在半導(dǎo)體晶片上形成多孔區(qū)域；

氧化所述多孔區(qū)域，以形成氧化區(qū)域；

將所述半導(dǎo)體晶片附接至支持材料；以及

在所述氧化區(qū)域分離所述裸片。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，還包括在分離之后去除所述支持材料。

15.一種分離半導(dǎo)體裸片的方法，包括：

在半導(dǎo)體晶片的第一側(cè)上沉積第一輔助層；

在所述第一輔助層上沉積第二輔助層；

蝕刻所述第二輔助層；

在半導(dǎo)體晶片的第二側(cè)上沉積導(dǎo)電層；

在半導(dǎo)體晶片上形成多孔區(qū)域；

氧化所述多孔區(qū)域，以形成氧化區(qū)域；

將所述半導(dǎo)體晶片附接至支持材料；以及

在所述氧化區(qū)域處分離所述裸片。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，分離方法包括干式蝕刻劑。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，分離方法包括機械力。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的分離半導(dǎo)體裸片的方法，其中，分離方法包括化學(xué)方式。