[發明專利]顯示裝置

有效

• 申請號: 201210438525.4
• 申請日: 2012-09-29
• 公開（公告）號: CN103034005A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 石井良典;園田大介;山本昌直
• 申請（專利權）人: 株式會社日本顯示器東
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張勁松

技術領域

本發明涉及顯示裝置，特別涉及給予能夠防止因掃描線的截面形狀引起的圖像信號線的斷線的結構的顯示裝置。

背景技術

在顯示裝置例如液晶顯示裝置中，設置有以矩陣狀形成有像素電極以及薄膜晶體管(TFT)等的TFT基板和與TFT基板相對在與TFT基板的像素電極對應的部位形成有濾色器的對置基板，在TFT基板和對置基板之間夾持有液晶。于是，通過對于每個像素控制液晶分子的光的透過率，從而形成圖像。

液晶顯示裝置由于平坦且輕量，因此，廣泛應用于自TV等的大型顯示裝置到便攜電話機或者DSC(Digital?Still?Camera數碼照相機)等各種領域。另外，液晶顯示裝置，具有根據觀看畫面的角度不同而圖像不同這樣的視野角的問題，但是關于該視野角，IPS(In?Plane?Switching平面轉換)方式的液晶顯示裝置具有優良的特性。

在液晶顯示裝置中，掃描線在第一方向延伸在第二方向排列，圖像信號線在第二方向延伸在第一方向排列。在由掃描線和圖像信號線包圍的區域內形成有像素。另外，圖像信號線經由絕緣層跨過掃描線之上延伸。

當掃描線的截面形狀中的側部陡峭、或者形成倒錐形時，覆蓋掃描線的絕緣層變得不規則，其結果，在絕緣層上形成的圖像信號線會產生斷線的現象。在專利文獻1中記載有：通過將覆蓋TFT的溝道部的溝道保護層作為絕緣物的兩層結構，加快上側的蝕刻速度，使溝道保護層成為正錐形，防止覆蓋溝道保護層的絕緣層破壞。

專利文獻1：日本特開平6-85257號公報

顯示裝置中的掃描線為了減小電阻而使用Al合金。作為所使用的Al合金，使用AiNd或者AlCu等。AlCu電阻小。另一方面，Al容易產生細微的突起，為防止該細微的突起突破絕緣膜而產生絕緣破壞，作為覆蓋層使用MoCr等高熔點金屬。以后將Al合金層稱為下層，將覆蓋層稱為上層。

掃描線在通過濺射等形成上層和下層后，使用光刻法進行構圖。在光刻工序中，顯影抗蝕劑后，使用相同的蝕刻液對掃描線的上層和下層同時蝕刻。以下層為AlCu、上層為MoCr的情況為例，在蝕刻之后，剝離抗蝕劑后的掃描線的截面結構成為圖10所示那樣的結構。

在圖10中，在作為下層11的AlCu上形成錐形，作為上層12的MoCr由于與AlCu的上部相比，側面蝕刻的量少，因此，在AlCu上生成MoCr的檐。在掃描線10之上，例如形成柵極絕緣膜，但是通過作為上層的MoCr的檐，柵極絕緣膜102的形狀如圖11所示變得不規則。如圖11所示，將掃描線10的上層12的檐部150的下側產生的柵極絕緣膜102的凹部稱為嵌入。圖11表示在與掃描線10成直角的方向上圖像信號線20跨過掃描線10的剖面圖。

在圖11中，在檐150的下側未充分形成柵極絕緣膜102，產生所謂的嵌入。在柵極絕緣膜102上通過濺射等形成圖像信號線20，但是在柵極絕緣膜102形成有嵌入的部分不形成圖像信號線20的膜，產生斷線，另外，在柵極絕緣膜102的嵌入部分中，即使連接圖像信號線20，也由于該部分的圖像信號線20變薄，在電流流過時，因熱量而斷線。

作為這樣的斷線的對應方法，如圖12所示，考慮在圖像信號線20跨過掃描線10的部分內，在圖像信號線20的下層形成a-Si層1035來減輕級差，由此，防止圖像信號線20的斷線。在圖12中，半導體層103為形成TFT的a-Si層，1035為在圖像信號線跨過掃描線的部分為減輕級差而通過a-Si形成的半導體臺座。但是當在圖像信號線20和掃描線10之間形成a-Si層時，產生因a-Si層而使透過率降低這樣的問題。

發明內容

本發明的課題為，在由以Al為主要成分的下層11和以Mo為主要成分的上層12構成的掃描線10或者柵電極中，防止蝕刻后產生上層的檐150，防止因產生檐150而引起的圖像信號線20的斷線。

本發明用于克服上述問題，具體的方法如下。

(1)一種顯示裝置，其掃描線在第一方向延伸在第二方向排列，圖像信號線在第二方向延伸在第一方向排列，在由所述掃描線和所述圖像信號線包圍的區域內形成TFT和像素電極，其特征在于，所述TFT是底部柵極型的TFT，所述掃描線是將以Al作為主要成分的合金作為下層、將以Mo作為主要成分的合金作為上層的兩層結構，所述上層/所述下層的膜厚比為0.4以上且1.0以下。

(2)根據(1)中所述的顯示裝置，其特征在于，所述上層/所述下層的膜厚比為0.6以上且1.0以下。

(3)根據(1)或(2)中所述的顯示裝置，其特征在于，所述上層為MoCr合金，所述下層為AlCu。