[發(fā)明專利]一種制備含碲、硒或硫半導(dǎo)體納米晶的新方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210436506.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-01 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102976289A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李林松;申懷彬;姜新東;王素娟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 河南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C01B19/04 | 分類號(hào): | C01B19/04;C01B19/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 475001*** | 國(guó)省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制備 半導(dǎo)體 納米 新方法 | ||
1.一種使用具有特定結(jié)構(gòu)的含膦有機(jī)化合物作為碲粉、硒粉、硫粉的溶劑,低成本合成高質(zhì)量含碲、含硒、含硫半導(dǎo)體納米晶的方法;其特征在于,步驟如下:將碲粉、硒粉或硫粉溶解到具有特定結(jié)構(gòu)的含膦有機(jī)化合物中制備碲粉、硒粉或硫粉前驅(qū)體。將這種新型的碲、硒或硫前驅(qū)體和各種鹽按照一定比例混合反應(yīng)制備各種含碲、硒或硫納米晶。反應(yīng)液反應(yīng)1s-3h,冷卻、沉淀即得所述含碲、硒或硫半導(dǎo)體納米晶;上述過(guò)程都在氮?dú)獾榷栊詺夥障逻M(jìn)行。
2.如權(quán)利要求1所述的含碲、硒或硫半導(dǎo)體納米晶的合成方法,其特征在于,步驟1)中所述特定結(jié)構(gòu)的含膦有機(jī)化合物指膦上連接-H基團(tuán)的化合物。如二正辛基氧化膦(di-n-octylphosphine?oxide,DOPO)、二正辛基次膦酸(di-n-octylphosphinic?acid,DOPA)、單正辛基次膦酸(mono-n-octylphosphinic?acid,MOPA)、正辛基膦酸(n-octylphosphonic?acid,OPA)等。
3.如權(quán)利要求1所述的含碲、硒或硫半導(dǎo)體納米晶的合成方法,其特征在于,步驟1)中所述前驅(qū)體的濃度為0.005-0.4mol/L。
4.如權(quán)利要求1所述的含碲、硒或硫半導(dǎo)體納米晶的合成方法,其特征在于,步驟1)中所述合成的含碲納米晶包括CdTe、ZnTe、CuTe、PbTe、Ag2Te、InTe、CuInTe2等。
5.如權(quán)利要求1所述的含碲、硒或硫半導(dǎo)體納米晶的合成方法,其特征在于,步驟1)中所述合成的含硒納米晶包括CdSe、ZnSe、CuSe、PbSe、Ag2Se、InSe、ZnxCd1-xSe?alloyed,?CuInSSe2,?CuInSe2,?ZnCuInSe2等。
6.如權(quán)利要求1所述的含碲、硒或硫半導(dǎo)體納米晶的合成方法,其特征在于,步驟1)中所述合成的含硫納米晶包括CdS、ZnS、CuS、PbS、Ag2S、InS、ZnxCd1-xS?alloyed,?CuInS2,?ZnCuInS2等。
7.如權(quán)利要求1所述的含碲、硒或硫半導(dǎo)體納米晶的合成方法,其特征在于所采用反應(yīng)溶劑為下列之一或兩種以上的混合物:十八烯、1-二十烯、三辛基氧化膦、二十四烷、液體石蠟、石蠟或礦物油。
8.如權(quán)利要求1所述的含碲、硒或硫半導(dǎo)體納米晶的合成方法,其特征在于,所合成的含碲、硒或硫納米晶形貌包括顆粒狀、方塊狀、棒狀、線狀及各種多邊形等。
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