[發明專利]像素結構、陣列基板及液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201210436371.5
• 申請日: 2012-11-05
• 公開（公告）號: CN102929055A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 張明;郝昭慧;尹雄宣
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，特別是一種陣列基板的像素結構。

背景技術

在現有的薄膜晶體管液晶顯示器的生產條件下，在柵線(Gate?Line)和數據線(Data?Line)的交叉部位經常會發生靜電擊穿，從而導致產生數據線和柵線短路不良(Data-Gate?Short，簡稱：DGS不良)。同理，在公共電極線(Common?Line)和數據線(Data?Line)的交叉部位也經常會發生靜電擊穿，從而導致產生公共電極線和數據線短路不良(Data-Common?Short，簡稱：DCS不良)

如圖1所示，為一種像素的柵線與信號線交叉區結構的截面示意圖(截面沿信號線方向)。從圖中可以看出，該像素結構中，在基板11和第二保護層12之間的層結構中，布設有數據線13和柵線14。

在數據線13和柵線14交叉位置會形成寄生電容。當該寄生電容發生靜電擊穿時，會導致DGS不良。

當然，對于陣列基板上的其他會產生交叉的信號傳輸線之間也存在上述由靜電釋放(Electro-Static?discharge，簡稱：ESD)而導致的短路問題，如公共電極線和數據線之間、維修線和數據線/柵線之間都存在上述現象。

對于DGS等由ESD造成的線不良，通用的方法都是在設備上尋找產生靜電的原因，現有技術中會通過降低滾輪的傳輸速度、增加防靜電液的使用以及增加除靜電離子槍以及降低干法刻蝕(Dry?Etch)中的輸入功率等方法去解決，但這些都無法完全消除靜電，導致DGS、DCS等由ESD引起的線不良的風險一直存在。因此，現有技術的像素結構至少存在針對上述容易發生靜電擊穿的寄生電容部分沒有提供任何保護措施，一旦被擊穿便難以完全修復，即使采取現有修復手段，也只能將該線不良修復成為點象素不良，從而會影響產品質量和良品率的問題。

發明內容

本發明實施例的目的在于提供一種像素結構、陣列基板及液晶顯示裝置，保護交叉的信號傳輸線之間的寄生電容不被擊穿。

為了實現上述目的，本發明實施例提供了一種陣列基板的像素結構，包括多個功能層，且所述多個功能層中包括交叉設置于不同層的第一信號傳輸線和第二信號傳輸線，所述第一信號傳輸線和第二信號傳輸線的交叉處形成有寄生電容，所述像素結構還包括至少一個與所述寄生電容并聯的保護電容，所述保護電容設置于所述多個功能層中的一個能夠導電的功能層上，且所述保護電容的擊穿電壓小于所述寄生電容的擊穿電壓。

上述的像素結構，其中，所述第一信號傳輸線為柵線或公共電極線，所述第二信號傳輸線為數據線。

上述的像素結構，其中，所述像素結構中還包括像素電極，所述保護電容的兩個電極與像素電極位于同一層，所述保護電容的一個電極通過第一過孔與所述數據線電連接，所述保護電容的另一個電極通過第二過孔與所述柵線電連接。

上述的像素結構，其中，所述保護電容的兩個電極與所述柵線位于同一層，所述保護電容的一個電極與柵線電連接，所述保護電容的另一個電極通過第三過孔與所述數據線電連接。

上述的像素結構，其中，所述保護電容的兩個電極與所述數據線位于同一層，所述保護電容的一個電極與數據線電連接，所述保護電容的另一個電極通過第四過孔與所述柵線電連接。

上述的像素結構，其中，所述像素結構包括透明公共電極，所述保護電容的兩個電極與該像素結構中ITO公共電極層位于同一層，所述保護電容的一個電極通過第五過孔與所述數據線電連接，所述保護電容的另一個電極直接與所述柵線電連接。

上述的像素結構，其中，所述保護電容的數量可為多個，所述多個保護電容的擊穿電壓不同。

上述的像素結構，其中，所述保護電容通過切斷維修部而斷開與第一信號傳輸線和/或第二信號傳輸線連接，所述切斷維修部用于在維修時斷開，以切斷所述保護電容與所述第一信號傳輸線和/或第二信號傳輸線的電連接。

為了實現上述目的，本發明實施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板上設置有上述的像素結構。

為了實現上述目的，本發明實施例還提供了一種液晶顯示裝置，包括上述的陣列基板。

本發明實施例具有如下優點中的至少一個：