[發明專利]面板暗點檢測電路

有效

• 申請號: 201210434566.6
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN102968942A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 楚正勇;樸世赫;陳傳雄
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種面板暗點檢測電路，其特征在于，包括：預設電壓產生模塊和選擇電路模塊，所述預設電壓產生模塊連接所述選擇電路模塊，用于將產生的N個預輸入面板的預設電壓傳輸至所述選擇電路模塊，所述選擇電路模塊包括N個用于分別接收所述N個預設電壓的輸入端口、一個輸出端口及用于選通所述輸出端口與其中一個輸入端口的選通開關，N≥2。

2.如權利要求1所述的面板暗點檢測電路，其特征在于，所述預設電壓產生模塊包括：單片機、D/A轉換器和N個運算放大器，所述單片機連接所述D/A轉換器，用于將設置的N個數字電壓信號發送到所述D/A轉換器，所述D/A轉換器將N個數字電壓信號轉換成N個模擬信號，并將N個模擬信號分別發送至N個運算放大器，所述N個運算放大器連分別接所述選擇電路模塊的N個輸入端口，用于將放大后的N個模擬信號發送至所述選擇電路模塊。

3.如權利要求1所述的面板暗點檢測電路，其特征在于，所述預設電壓產生模塊用于將產生的兩個預輸入面板的預設電壓傳輸至所述選擇電路模塊，所述選擇電路模塊包括兩個用于分別接收所述兩個預設電壓的輸入端口、一個輸出端口及用于選通所述輸出端口與其中一個輸入端口的選通開關。

4.如權利要求1所述的面板暗點檢測電路，其特征在于，所述預設電壓產生模塊產生的預設電壓為：柵極高電平電壓，原L63的柵極為高電平電壓時選擇的預設電壓為所述柵極高電平電壓，所述柵極高電平電壓低于原L63的柵極高電平電壓。

5.如權利要求4所述的面板暗點檢測電路，其特征在于，所述預設電壓產生模塊產生的柵極高電平電壓為0~5V。

6.如權利要求1所述的面板暗點檢測電路，其特征在于，所述預設電壓產生模塊產生的預設電壓為：柵極低電平電壓，原L63的柵極為低電平電壓時選擇的預設電壓為所述柵極低電平電壓，所述柵極低電平電壓低于或等于原L63的柵極低電平電壓。

7.如權利要求6所述的面板暗點檢測電路，其特征在于，所述預設電壓產生模塊產生的柵極低電平電壓為-10V~-13V。

8.如權利要求3所述的面板暗點檢測電路，其特征在于，所述預設電壓產生模塊包括：單片機、D/A轉換器和兩個運算放大器，所述單片機連接所述D/A轉換器，用于將設置的兩個數字電壓信號發送到所述D/A轉換器，所述D/A轉換器將兩個數字電壓信號轉換成兩個模擬信號，并將兩個模擬信號分別發送至兩個運算放大器，所述兩個運算放大器連分別接所述選擇電路模塊的兩個輸入端口，用于將放大后的兩個模擬信號發送至所述選擇電路模塊。

9.如權利要求1~8中任一項所述的面板暗點檢測電路，其特征在于，所述選擇電路模塊為模擬開關。

10.如權利要求3~8中任一項所述的面板暗點檢測電路，其特征在于，所述選擇電路模塊包括一個N型MOS管和一個P型MOS管，所述N型MOS管非柵極的一端連通第一運算放大器，所述P型MOS管非柵極的一端連通第二運算放大器，所述N型MOS管非柵極的另一端和所述P型MOS管非柵極的另一端連接形成輸出端口，所述N型MOS管的柵極和所述P型MOS管的柵極連接形成選通開關。