[發明專利]一種實現寬波束的低剖面圓極化微帶天線

在審

• 申請號: 201210434559.6
• 申請日: 2012-11-05
• 公開（公告）號: CN103794852A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 楊峰;吳川;趙涵;張銀;楊鵬;歐陽駿
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q13/08;H01Q15/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.本發明為一種新型，低剖面，寬波束圓極化微帶天線，包括兩層介質基片，在底層介質基片上表面的圓極化微帶貼片，在底層介質基片下表面的饋電同軸接頭，在頂層介質基片上表面的四個圓形貼片，連接頂層介質基片和底層介質基片的四個短路圓柱，在頂層介質基片中央開的圓形孔。為實現圓極化，在底層微帶貼片的中央開一個斜45度的縫。在底層介質基片下表面的饋電同軸接頭的內導體穿過介質基片和上表面的微帶貼片相連接。四個短路圓柱均勻地分布在底層介質基片上表面微帶貼片的周圍且鄰近微帶貼片的邊緣。四個短路圓柱向下穿過底層介質基片，向上穿過頂層介質基片分別和頂層介質基片上表面的四個圓形貼片相連。

2.如權利要求1所述的寬波束圓極化天線，其特征在于底層介質基片上表面的圓極化微帶貼片為中央開縫的圓形或者方形微帶貼片，以及可以實現圓極化形式的任何貼片形式。

3.如權利要求1所述的寬波束圓極化天線，其特征在于底層介質基片下表面有一個饋電同軸接頭。為實現圓極化也可以在底層介質基片下表面兩個相互正交的位置放置兩個饋電同軸接頭即雙點饋電實現圓極化。

4.如權利要求1所述的寬波束圓極化天線，其特征在于連接底層介質基片和頂層介質基片，均勻分布在底層介質基片上表面微帶貼片周圍的四個短路圓柱。短路圓柱個數可以為四個或四個以上的偶數且均勻分布在底層介質上表面微帶貼片周圍。短路柱可以為圓柱、方柱、菱形柱、三角形柱等。

5.如權利要求1所述的寬波束圓極化天線，其特征在于在頂層介質基片的上表面有四個均勻分布的圓形貼片。貼片的個數可以為四個或者四個以上的偶數，但必須和權利要求4中短路柱的個數相同。貼片的形式可以為圓形、方形、菱形、三角形、橢圓形等。

6.如權利要求1所述的寬波束圓極化天線，其特征在于在頂層介質中央開一個圓形的孔。開孔的形式可以為圓形、方形、三角形、菱形等，也可以不開孔。