[發(fā)明專利]半導(dǎo)體組件及其制法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210433996.6
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN103094233A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳鋐菖
• 申請（專利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)一種半導(dǎo)體組件及其制法，尤指一種應(yīng)用于光學(xué)產(chǎn)品的半導(dǎo)體組件及其制法。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品的功能需求隨之增加，而為滿足多功能的使用需求，部分電子產(chǎn)品中的半導(dǎo)體組件須具備光學(xué)特性。這種半導(dǎo)體組件的一制作方法，是于一透明基板上接合一布有線路的晶圓，最后切割該晶圓及透明基板，以得到多個(gè)芯片，而該芯片的一側(cè)表面上即具有供光幅射穿透的透明介質(zhì)。

如圖3所示，前述的半導(dǎo)體組件的制法包括提供一透明基板30及形成于該透明基板30上的硅基材31，該硅基材31通過一膠層32粘合于該透明基板30上，而于較佳的組件制程中，該透明基板30上還形成有一金屬氧化物層33以過濾光輻射的噪聲。此外，該硅基材31表面形成有多條深度達(dá)到足以外露該透明基板30的溝槽310，該溝槽310的槽壁還外露部分金屬氧化物層33。在后續(xù)的制程中，該硅基材31表面形成有多條導(dǎo)腳34，各該導(dǎo)腳34延伸至溝槽310的槽壁上，其中，各該導(dǎo)腳34上覆蓋有如鎳/金合金的金屬膜，其于形成導(dǎo)腳34后形成，并于覆蓋拒焊層(未圖標(biāo))之后得到半導(dǎo)體組件。

然而，該半導(dǎo)體組件的制程良率仍存在無法提升的問題，本發(fā)明發(fā)現(xiàn)制程良率不佳的問題來自于金屬氧化物層33會(huì)于制程中生長或吸附類金屬物質(zhì)36，導(dǎo)致相鄰導(dǎo)腳產(chǎn)生短路。因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容

為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體組件及其制法，通過絕緣膜避免相鄰導(dǎo)腳產(chǎn)生短路現(xiàn)象。

本發(fā)明的半導(dǎo)體組件的制法，其包括：提供一透明基板及形成于該透明基板上的疊層結(jié)構(gòu)，該疊層結(jié)構(gòu)包括依序形成于該透明基板上的金屬氧化物層、膠層及半導(dǎo)體層，且該疊層結(jié)構(gòu)具有多個(gè)溝槽，以令該金屬氧化物層外露于該溝槽的槽壁；于該疊層結(jié)構(gòu)及其溝槽表面上形成導(dǎo)體層；圖案化該導(dǎo)體層，以形成多個(gè)導(dǎo)腳，且外露出部分該疊層結(jié)構(gòu)表面及部分槽壁；于該外露的槽壁的金屬氧化物層上覆蓋絕緣膜；于各該導(dǎo)腳上形成金屬膜；以及于該金屬膜、外露的疊層結(jié)構(gòu)頂面、絕緣膜上及溝槽中形成拒焊層，且該疊層結(jié)構(gòu)頂面的金屬膜上的拒焊層形成有多個(gè)開孔，以外露各該導(dǎo)腳上的金屬膜的部分。

根據(jù)本發(fā)明的制法，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體組件，其包括：一種半導(dǎo)體組件，其包括：透明基板；形成于該透明基板上的疊層結(jié)構(gòu)，該疊層結(jié)構(gòu)包括依序形成于該透明基板上的金屬氧化物層、膠層及半導(dǎo)體層，且該疊層結(jié)構(gòu)具有多個(gè)溝槽，以令該金屬氧化物層外露于該溝槽的槽壁；多個(gè)導(dǎo)腳，其間隔形成于該疊層結(jié)構(gòu)的頂面上并延伸至該溝槽的槽壁上；絕緣膜，其覆蓋于外露的該金屬氧化物層上；形成于各該導(dǎo)腳上的金屬膜；以及拒焊層，其形成于該金屬膜、疊層結(jié)構(gòu)頂面、絕緣膜上及溝槽中，且該疊層結(jié)構(gòu)頂面的金屬膜上的拒焊層形成有多個(gè)開孔，以外露各該導(dǎo)腳上的金屬膜的部分。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體組件的制法，其差異在于形成導(dǎo)體層之前，于該溝槽槽壁所外露的金屬氧化物層表面上覆蓋絕緣膜，之后再制作導(dǎo)腳。

此外，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體組件，其與前述半導(dǎo)體組件的差異在于該溝槽槽壁所外露的金屬氧化物層上皆形成有絕緣膜。

于另一實(shí)施例中，本發(fā)明還提供切割前述半導(dǎo)體組件所得到的經(jīng)分離的半導(dǎo)體組件。

本發(fā)明半導(dǎo)體組件及其制法，主要于形成導(dǎo)腳上的金屬膜之前，通過絕緣膜覆蓋在溝槽槽壁外露的金屬氧化物層上，以避免在后續(xù)制程中，如形成導(dǎo)腳上的金屬膜時(shí)，外露的金屬氧化物層成長或吸附類金屬物質(zhì)，導(dǎo)致相鄰導(dǎo)腳產(chǎn)生短路現(xiàn)象，以大幅提升制程良率。

附圖說明

圖1A至圖1F為本發(fā)明半導(dǎo)體組件的制法的第一實(shí)施例的示意圖，其中，圖1D為沿圖1C的1C-1C剖面線的剖視圖，圖1E為顯示在沿圖1C的1C’-1C’剖面線的剖視結(jié)構(gòu)的制程步驟示意圖；

圖2A至圖2F為本發(fā)明半導(dǎo)體組件的制法的第二實(shí)施例的剖面示意圖；以及

圖3為現(xiàn)有半導(dǎo)體組件的制法示意圖。

附圖中符號的簡單說明如下：

10：透明基板；100：凹槽；11：疊層結(jié)構(gòu)；110：金屬氧化物層；111：溝槽；112：膠層；114：半導(dǎo)體層；116：光阻層；12,12’：導(dǎo)體層；13,13’：導(dǎo)腳；14,14’：絕緣膜；15,15’：金屬膜；16,16’：拒焊層；160,160’：開孔；30：透明基板；31：硅基材；32：膠層；33：金屬氧化物層；310：溝槽；34：導(dǎo)腳；36：類金屬物質(zhì)。

具體實(shí)施方式