[發明專利]半導體組件及其制法

有效

• 申請號: 201210433996.6
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN103094233A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 陳鋐菖
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種半導體組件，其特征在于，其包括：

透明基板；

疊層結構，其形成于該透明基板上，該疊層結構包括依序形成于該透明基板上的金屬氧化物層、膠層及半導體層，且該疊層結構具有多個溝槽，以令該金屬氧化物層外露于該溝槽的槽壁；

多個導腳，其間隔形成于該疊層結構的頂面上并延伸至該溝槽的槽壁上；

絕緣膜，其覆蓋于外露的該金屬氧化物層上；

金屬膜，其形成于各該導腳上；以及

拒焊層，其形成于該金屬膜、該疊層結構的頂面與該絕緣膜上及該溝槽中，且該疊層結構的頂面的金屬膜上的拒焊層形成有多個開孔，以外露各該導腳上的金屬膜的部分。

2.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，各該導腳延伸至該金屬氧化物層上，且該絕緣膜形成在外露于該導腳和該溝槽的槽壁的金屬氧化物層上。

3.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，各該導腳延伸至該金屬氧化物層之上，且該絕緣膜還形成于該導腳與該金屬氧化物層之間。

4.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，該透明基板具有凹槽，對應銜接該溝槽的底端緣。

5.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，該疊層結構還包括光阻層，且該膠層上方的槽壁由該光阻層所構成，以包覆該半導體層。

6.一種半導體組件，其特征在于，其包括：

透明基板；

疊層結構，其形成于該透明基板上，該疊層結構包括依序形成于該透明基板上的金屬氧化物層、膠層及半導體層，且該金屬氧化物層外露于該疊層結構的側壁；

多個導腳，其間隔形成于該疊層結構的頂面上并延伸至該側壁上；

絕緣膜，其覆蓋于外露的該金屬氧化物層表面上；

金屬膜，其形成于各該導腳上；以及

拒焊層，其形成于該金屬膜、該疊層結構的頂面和側壁及該絕緣膜上，且該疊層結構的頂面的金屬膜上的拒焊層形成有多個開孔，以外露各該導腳上的金屬膜的部分。

7.根據權利要求6所述的半導體組件，其特征在于，各該導腳延伸至該金屬氧化物層上，且該絕緣膜形成在外露于該導腳和該疊層結構的側壁的金屬氧化物層上。

8.根據權利要求6所述的半導體組件，其特征在于，各該導腳延伸至該側壁外露的金屬氧化物層之上，且該絕緣膜還形成于該導腳與該金屬氧化物層之間。

9.根據權利要求6所述的半導體組件，其特征在于，該疊層結構還包括光阻層，且該膠層上方的側壁由該光阻層所構成，以包覆該半導體層。

10.一種半導體組件的制法，其特征在于，其包括：

提供一透明基板及形成于該透明基板上的疊層結構，該疊層結構包括依序形成于該透明基板上的金屬氧化物層、膠層及半導體層，且該疊層結構具有多個溝槽，以令該金屬氧化物層外露于該溝槽的槽壁；

于該疊層結構及其溝槽表面上形成導體層；

圖案化該導體層，以形成多個導腳，且外露出部分該疊層結構的表面及部分槽壁；

于該外露的槽壁的金屬氧化物層上覆蓋絕緣膜；

于各該導腳上形成金屬膜；以及

于該金屬膜、外露的該疊層結構的頂面與該絕緣膜上及該溝槽中形成拒焊層，且該疊層結構的頂面的金屬膜上的拒焊層形成有多個開孔，以外露各該導腳上的金屬膜的部分。

11.根據權利要求10所述的半導體組件的制法，其特征在于，各該導腳延伸至該金屬氧化物層上，且該絕緣膜形成在外露于該導腳和側壁的金屬氧化物層上。

12.根據權利要求10所述的半導體組件的制法，其特征在于，該透明基板具有凹槽，對應銜接該溝槽的底端緣。

13.根據權利要求10所述的半導體組件的制法，其特征在于，該疊層結構還包括光阻層，且該膠層上方的槽壁由該光阻層所構成，以包覆該半導體層。