[發(fā)明專利]一種磁阻存儲(chǔ)器的環(huán)狀存儲(chǔ)單元的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210432398.7
• 申請(qǐng)日: 2012-11-02
• 公開（公告）號(hào): CN102938445A
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L43/12
• 分類號(hào): H01L43/12
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種磁阻存儲(chǔ)器的環(huán)狀存儲(chǔ)單元的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：依次沉積第一磁通道結(jié)層、阻擋層和刻蝕層；并通過(guò)光刻形成圓形的島狀光阻圖形，所述島狀光阻圖形的直徑為80~120nm；

步驟2：利用等離子體干法蝕刻對(duì)所述島狀光阻圖形的特征尺寸進(jìn)行縮減，刻蝕后的島狀光阻圖形的直徑為30~50nm；

步驟3：刻蝕所述島狀光阻圖形下的刻蝕層，形成島狀的刻蝕層；隨后去除所述島狀光阻圖形；

步驟4：沉積第二磁通道結(jié)層，并回蝕刻形成島狀的刻蝕層和第二磁通道結(jié)層；

步驟5：蝕刻去除刻蝕層，形成環(huán)狀的第二磁通道結(jié)層；

步驟6：利用環(huán)狀的第二磁通道結(jié)層刻蝕阻擋層和第一磁通道結(jié)層，形成環(huán)狀的第一磁通道結(jié)層、阻擋層和第二磁通道結(jié)層。

2.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀存儲(chǔ)單元的制作方法，其特征在于，所述步驟2中等離子體干法蝕刻的條件為：10~12毫托氣壓、13.56~15.28兆赫茲射頻電源頻率、400~450瓦上電極射頻電源功率、100~120伏下電極射頻電源偏壓、每分鐘50~65標(biāo)準(zhǔn)立方厘米HBr氣體流量、每分鐘20~35標(biāo)準(zhǔn)立方厘米氧氣氣體流量、蝕刻時(shí)間為25~40秒。

3.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀存儲(chǔ)單元的制作方法，其特征在于，所述步驟1中光刻形成圓形的島狀光阻圖形間的間距為80~120nm；所述步驟4中形成的島狀的刻蝕層和第二磁通道結(jié)層間的間距為30~50nm。

4.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀存儲(chǔ)單元的制作方法，其特征在于，所述步驟4中沉積的刻蝕層的厚度為10~300nm。

5.如權(quán)利要求4所述的環(huán)狀存儲(chǔ)單元的制作方法，其特征在于，所述步驟4中島狀的刻蝕層和第二磁通道結(jié)層中第二磁通道結(jié)層的厚度為40~50nm。

6.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀存儲(chǔ)單元的制作方法，其特征在于，所述步驟1中沉積的第一磁通道結(jié)層厚度為3~10nm。

7.如權(quán)利要求6所述的環(huán)狀存儲(chǔ)單元的制作方法，其特征在于，所述步驟1中沉積的阻擋層的厚度為10~300nm。

8.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀存儲(chǔ)單元的制作方法，其特征在于，所述阻擋層為氧化硅層。

9.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀存儲(chǔ)單元的制作方法，其特征在于，所述刻蝕層的材料選自氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳化硅或其組合。

10.如權(quán)利要求1所述的環(huán)狀存儲(chǔ)單元的制作方法，其特征在于，所述第二磁通道結(jié)層的材料選自多晶硅、氧化硅、氮化鈦、氮化鉭。