[發明專利]一種液晶面板玻璃的單面蝕刻方法有效
| 申請號: | 201210432138.X | 申請日: | 2012-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN102951845A | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發明(設計)人: | 李福春;蒲中軍;鄧飛;唐忠于;唐毅強;向勇;黃毅;李正元;趙興華;黃立雄;李輝;錢華軍;張以洪;蒲琨;王勇;張永強;謝秋乙;陽利民;舒茜;王曉;黎岸;劉俊杰;廖志勇 | 申請(專利權)人: | 成都工投電子科技有限公司 |
| 主分類號: | C03C15/00 | 分類號: | C03C15/00 |
| 代理公司: | 成都蓉信三星專利事務所 51106 | 代理人: | 楊春 |
| 地址: | 610000 四川省成都*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 液晶面板 玻璃 單面 蝕刻 方法 | ||
技術領域
本發明涉及液晶面板的蝕刻領域,尤其涉及一種液晶面板玻璃的單面蝕刻方法。
背景技術
目前在FDP顯示領域,液晶面板玻璃廣泛的應用于電腦、電視、手機等顯示終端。隨著市場需求,液晶顯示器向重量輕、高清晰等方向發展,為了達到這些特點與要求,大部分液晶顯示面板均采用液晶面板玻璃薄化的方式進行。目前,液晶面板玻璃的薄化技術,主要以化學蝕刻為主,物理研磨為輔。而且此類化學薄化均是均衡薄化。目前均衡薄化主要有四種蝕刻方式可采用:1、浸泡式(Dipping);2、側面噴灑式(Side-Spray);3、瀑布流式(Cascade);4、頂部噴灑式(Top-Spray)。
隨著市場日新月異的發展,液晶顯示器等應用終端(如電腦、電視、手機等)向智能化發展。以其中一種智能化方向觸摸技術為例,傳統的觸摸屏工藝結構如圖1所示。為了降低觸摸屏的成本,簡化制造工藝,近年來出現了將觸摸面板功能與液晶面板一體化的技術,如圖2所示。觸摸面板和液晶面板的一體化包括“In-cell”方法和“On-cell”方法。In-cell是指將觸摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法。On-cell是指將觸摸面板功能嵌入到彩色濾光片基板(C/F)和偏光板之間的方法。
發明內容
針對上述的觸摸屏發展趨勢(工藝簡化,成本降低)及解決液晶面板玻璃薄化的問題(由于透明電極層貼附在液晶顯示器層上,在薄化的過程中需要保護),本發明目的在于提供一種液晶面板玻璃的單面蝕刻方法,該方法同樣適用于其他需要單面保護的蝕刻玻璃。
本發明的技術方案是:一種液晶面板玻璃的單面蝕刻方法,包括以下工序:
工序A:挑選出可以進行單面蝕刻的液晶面板玻璃,可以單面蝕刻的條件為單面厚度>0.1mm;
工序B:把通過工序A挑選出的液晶面板玻璃需要保留的一面進行貼膜保護;
工序C:采用蝕刻裝置將通過工序B處理過的液晶面板玻璃進行蝕刻;
工序D:對蝕刻后的液晶面板玻璃進行脫膜處理;
工序E:將脫膜后的液晶面板玻璃清洗干凈。
作為優選,在工序B前對通過工序A挑選出的液晶面板玻璃需要保留的一面采用浸泡方式進行清洗,清洗設備采用PVC自動化清洗機,清洗液的主要成分為質量濃度1%的KOH水溶液,清洗液的成分包括重量百分率為2%?~?5%的非離子型表面活性劑、重量百分率為5%?~?10%的KOH水溶液、重量百分率為1%?~?5%的葡萄糖酸鈉、重量百分率為1%?~?5%的四乙酸乙烯二胺、重量百分率為1%?~?5%的四鈉酸、重量百分率為70%?~?85%的水,清洗溫度:25℃,清洗時間:5分鐘。
作為優選,所述工序B是采用自動貼膜機,把通過工序A挑選出的液晶面板玻璃的兩面分別貼上TFT保護膜和C/F保護膜,并在貼膜的過程中采用靜電防護措施,貼膜過程包括以下步驟:
1)C/F保護膜準備:將卷成卷筒的C/F保護膜的開放端由自動貼膜機的滾軸和自動貼膜機的工作平臺之間的間隙拉放到工作平臺的后方;
2)TFT保護膜準備及產品投入:將TFT保護膜平鋪在自動貼膜機的工作平臺上與C/F保護膜的位置對應,將液晶面板玻璃的TFT基板面朝下放置在TFT保護膜上;
3)接產品:將液晶面板玻璃從自動貼膜機的工作平臺和自動貼膜機的滾軸之間的間隙通過,并在工作平臺的后方接住液晶面板玻璃;
4)一次裁切:在液晶面板玻璃完全通過自動貼膜機的工作平臺和自動貼膜機的滾軸之間的間隙后,裁斷C/F保護膜;
5)二次裁切:沿著液晶面板玻璃的邊沿裁切C/F保護膜或TFT保護膜,使其與液晶面板玻璃的尺寸一致;
6)貼膜完成:去除液晶面板玻璃需要蝕刻的一面上的保護膜,留下液晶面板玻璃和需要保留的一面上的保護膜。
作為優選,所述靜電防護措施選擇采用離子風機對貼膜過程中產品的靜電進行靜電中和,或者選擇采用防靜電膜降低貼膜過程的靜電產生量,其中采用防靜電膜的方式包括以下步驟:
在B工序的步驟1)C/F保護膜準備中增加靜電膜的準備:將靜電膜的一端由自動貼膜機的滾軸和自動貼膜機的工作平臺之間的間隙拉放到工作平臺的后方,使貼膜后靜電膜位于C/F保護膜的上方;
在B工序的步驟6)貼膜完成中增加靜電膜的去除。
作為優選,所述工序C的蝕刻方式為頂部噴灑式,蝕刻時液晶面板玻璃采用專用PVC工裝裝載,蝕刻液為HF混酸,溫度為25±2℃。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于成都工投電子科技有限公司,未經成都工投電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210432138.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





