[發(fā)明專利]基于光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀的揮發(fā)性有機(jī)物傳感方法及裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210430590.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-10-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102967584A | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙春柳;姬崇軻;王雪萍;袁劍英;康娟;倪凱;金永興 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)計(jì)量學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | G01N21/45 | 分類號(hào): | G01N21/45 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 310018 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 光子 晶體 光纖 內(nèi)嵌式 干涉儀 揮發(fā)性 有機(jī)物 傳感 方法 裝置 | ||
1.基于光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀的揮發(fā)性有機(jī)物傳感方法,其特征在于該方法包括如下步驟:
步驟(1)選擇一個(gè)輸出波長(zhǎng)為1500nm至1600nm的寬帶光源,兩根單模光纖和一個(gè)工作波長(zhǎng)覆蓋1500nm至1600nm的光譜儀,并利用二氧化碳激光器在光子晶體光纖上刻寫兩個(gè)完全相同的長(zhǎng)周期光柵,兩個(gè)長(zhǎng)周期光柵的透光率均為3dB,中心波長(zhǎng)一致,柵格中心間距為1~4cm,制成一個(gè)光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀;
步驟(2)將制成的光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀完全置于一個(gè)內(nèi)徑為126~127μm套筒內(nèi),套筒兩端比光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀長(zhǎng)2~4cm,長(zhǎng)出的部分經(jīng)預(yù)處理有鏤空的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),將兩根單模光纖分別從套筒兩側(cè)插入套筒內(nèi),與光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀的端面接近但不發(fā)生接觸,由于套筒的內(nèi)徑僅比光纖直徑大1~2μm,單模光纖與光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀能夠很好的實(shí)現(xiàn)未熔接的光準(zhǔn)直,兩根單模光纖的另一端分別與寬帶光源的輸出端和光譜儀的輸入端口光纖連接;
步驟(3)步驟(2)中內(nèi)置好光纖的套筒置于待檢測(cè)的揮發(fā)性有機(jī)物環(huán)境中,基于光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀上刻寫有兩個(gè)完全相同的透光率為3dB的長(zhǎng)周期光柵,光在經(jīng)過第一個(gè)長(zhǎng)周期光柵作用時(shí),纖芯中一半的光會(huì)被耦合進(jìn)入光纖的包層中進(jìn)行傳輸,經(jīng)過第二個(gè)長(zhǎng)周期光柵作用,包層內(nèi)的光重新被耦合進(jìn)纖芯,兩束光由于傳播途徑不同,存在光程差,會(huì)發(fā)生干涉,輸出干涉條紋,根據(jù)相干光干涉原理,干涉條紋的干涉峰滿足:
λ=[nco(C)-ncl(C)]L/k
其中nco(C)為光子晶體光纖芯模的有效折射率,ncl(C)為光子晶體光纖包層模的有效折射率,它們都與光子晶體光纖包層空氣孔內(nèi)揮發(fā)性有機(jī)物濃度C有函數(shù)關(guān)系,L為光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀上兩個(gè)光柵的柵格中心間距,k為干涉級(jí)次,當(dāng)揮發(fā)性有機(jī)物經(jīng)由套筒的鏤空結(jié)構(gòu)處擴(kuò)散進(jìn)入套筒內(nèi),并進(jìn)一步擴(kuò)散進(jìn)入光子晶體光纖的包層空氣孔,會(huì)改變包層模和芯模的有效折射率,干涉光譜會(huì)發(fā)生漂移,漂移量Δλdip與揮發(fā)性有機(jī)物濃度C的關(guān)系滿足:
Δλdip=K·ΔC
其中K為常數(shù),可以由干涉光譜計(jì)算出來,因此,可以根據(jù)干涉條紋的漂移量來確定揮發(fā)性有機(jī)物的濃度。
2.實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述方法的裝置,一個(gè)寬帶光源、兩根單模光纖、一段光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀、一個(gè)套筒和一個(gè)光譜儀,將光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀完全置于套筒內(nèi),將兩根單模光纖分別從套筒兩側(cè)插入套筒內(nèi),與光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀的端面接近但不發(fā)生接觸,實(shí)現(xiàn)未熔接的光準(zhǔn)直,兩根單模光纖的另一端分別與寬帶光源的輸出端和光譜儀的輸入端口光纖連接;
所述的光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀是利用二氧化碳激光器在光子晶體光纖上刻寫兩個(gè)完全相同的長(zhǎng)周期光柵,兩個(gè)長(zhǎng)周期光柵的透光率均為3dB,中心波長(zhǎng)一致,柵格中心間距為1~4cm;
所述的套筒內(nèi)徑為126~127μm,套筒兩端比光子晶體光纖內(nèi)嵌式干涉儀長(zhǎng)2~4cm,長(zhǎng)出的部分經(jīng)預(yù)處理有鏤空的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)計(jì)量學(xué)院,未經(jīng)中國(guó)計(jì)量學(xué)院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210430590.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
- 單光子探測(cè)器用于分辨光子數(shù)的測(cè)量方法
- 利用光子調(diào)控增強(qiáng)光子計(jì)數(shù)激光雷達(dá)探測(cè)靈敏度的方法和系統(tǒng)
- 光子電路設(shè)計(jì)系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)
- 測(cè)量熒光量子產(chǎn)率的方法及裝置
- 用于光子掃描裝置的脈寬調(diào)制
- 用于使用糾纏光子在量子密鑰分發(fā)系統(tǒng)中空脈沖減輕的方法和系統(tǒng)
- 單光子激光雷達(dá)水下光子位移校正、測(cè)深方法及裝置
- 單光子激光雷達(dá)水下光子位移校正、測(cè)深方法及裝置
- 單光子激光雷達(dá)水下光子位移校正、測(cè)深方法及裝置
- 光子半導(dǎo)體裝置及其制造方法





