[發明專利]具有金屬絕緣體金屬電容器的封裝件及其制造方法有效
| 申請號： | 201210424567.2 | 申請日： | 2012-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN103426858A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發明（設計）人： | 陳碩懋;葉德強;葉炅翰 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孫征 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 金屬 絕緣體 電容器 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種封裝件，包括：
芯片，形成在所述封裝件的第一區中；
模塑料，形成在鄰近所述第一區的所述封裝件的第二區中；
第一聚合物層，形成在所述芯片和所述模塑料上；
第二聚合物層，形成在所述第一聚合物層上；
多個互連結構，形成在所述第一聚合物層和所述第二聚合物層之間；
金屬絕緣體金屬(MIM)電容器，形成在所述第二聚合物層上并電連接至所述多個互連結構中的至少一個；以及
金屬凸塊，形成在所述多個互連結構中的至少一個的上方并電連接至所述多個互連結構中的至少一個。
2.根據權利要求1所述的封裝件，其中，所述MIM電容器形成在所述第一區或所述第二區的至少一區中。
3.根據權利要求1所述的封裝件，其中，所述多個互連結構形成在所述第一區或所述第二區的至少一區中。
4.根據權利要求1所述的封裝件，其中，所述金屬凸塊形成在所述MIM電容器的上方并電連接至所述MIM電容器。
5.根據權利要求1所述的封裝件，還包括位于所述MIM電容器上方的隔離涂層。
6.根據權利要求1所述的封裝件，其中，所述MIM電容器包括下部金屬層、電容器介電層以及上部金屬層，并且所述電容器介電層包括氮化層。
7.一種封裝件，包括：
芯片，形成在所述封裝件的第一區中；
模塑料，形成在鄰近所述第一區的所述封裝件的第二區中；
第一聚合物層，形成在所述芯片和所述模塑料上；
第二聚合物層，形成在所述第一聚合物層上；
第三聚合物層，形成在所述第二聚合物層上；
第一互連結構，形成在所述第一聚合物層和所述第二聚合物層之間；
第二互連結構，形成在所述第二聚合物層和所述第三聚合物層之間，并電連接至所述第一互連結構；以及
金屬絕緣體金屬(MIM)電容器，形成在所述第二聚合物層和所述第三聚合物層中的至少一層中，并電連接至所述第一互連結構和所述第二互連結構中的至少一個。
8.根據權利要求7所述的封裝件，其中，所述MIM電容器形成在所述第一區中的所述芯片的上方。
9.根據權利要求7所述的封裝件，其中，所述MIM電容器形成在所述第二區的所述模塑料的上方。
10.根據權利要求7所述的封裝件，其中，所述MIM電容器包括下部金屬層、電容器介電層以及上部金屬層，并且所述電容器介電層包括氮化層。
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