[發明專利]太陽能液晶面板及其制作方法

有效

• 申請號: 201210423920.5
• 申請日: 2012-10-30
• 公開（公告）號: CN102902123A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 洪孟逸
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1333;H01L21/77
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太陽能液晶面板，包括太陽能電池和TFT結構，其特征在于：

所述TFT結構包括：位于底部的柵極、位于柵極上的絕緣層、位于絕緣層上的第一i型非晶硅層、位于第一i型非晶硅層上的源極n型非晶硅層和漏極n型非晶硅層、源極、以及漏極；

所述太陽能包括位于底層的第二ITO透明電極、第二p型a-Si層、第二i型非晶硅層、以及太陽能n型非晶硅層，其中，第二i型非晶硅層與第一i型非晶硅層同時形成但位于不同的平面上，且所述源極一端位于源極n型非晶硅層上，源極的另一端位于第二i型非晶硅層上，所述漏極一端位于漏極n型非晶硅層上，漏極的另一端位于第二i型非晶硅層上。

2.根據權利要求1所述的太陽能液晶面板，其特征在于：所述第二ITO透明電極與第二p型a-Si層加一起的厚度低于絕緣層的厚度。

3.根據權利要求1所述的太陽能液晶面板，其特征在于：所述TFT結構還包括位于頂層的信號線、掃描線和透明電極。

4.根據權利要求1所述的太陽能液晶面板，其特征在于：所述TFT結構還包括保護層。

5.根據權利要求3所述的太陽能液晶面板，其特征在于：所述保護層上開有若干接觸孔。

6.一種太陽能液晶面板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步：在基板上形成柵極圖形，接著形成絕緣層圖形，并在形成絕緣層圖形后不移除絕緣層光阻，接著連續生成ITO透明電極和p型a-Si層，定義位于絕緣層光阻上的為第一ITO透明電極和第一p型a-Si層、位于基板上的為第二ITO透明電極和第二p型a-Si層；然后剝離絕緣層光阻；

第二步：在形成上述圖案的基礎上形成i型非晶硅層，定義位于絕緣層上的為第一i型非晶硅層、位于第二p型a-Si層為第二i型非晶硅層。

第三步：在形成第二步圖案的基礎上形成n型非晶硅層，并制作n型非晶硅層圖形，形成位于第一i型非晶硅層上的源極n型非晶硅層、漏極n型非晶硅層、并將TFT通道處的n型非晶硅層移除、位于第二i型非晶硅層上的太陽能n型非晶硅層；

第四步：在形成第三步圖案的基礎上形成源極圖形和漏極圖形，所述源極位于源極n型非晶硅層與第二i型非晶硅層之間，所述漏極位于漏極n型非晶硅層與第二i型非晶硅層之間；

第五步：在形成第四步圖案的基礎上覆蓋保護層，并在保護層上制作接觸孔；

第六步：在形成第五步圖案的基礎上，形成透明電極和信號線金屬，信號線金屬形成掃描線和數據線。

7.根據權利要求6所述的太陽能液晶面板的制作方法，其特征在于：所述第二ITO透明電極與第二p型a-Si層加一起的厚度低于絕緣層的厚度。

8.根據權利要求6所述的太陽能液晶面板的制作方法，其特征在于：所述第五步形成的接觸孔有：在源極上形成第一接觸孔和第二接觸孔；在漏極上形成第三接觸孔；在柵極上形成第四接觸孔。

9.根據權利要求6所述的太陽能液晶面板的制作方法，其特征在于：透明電極通過第三接觸孔與漏極電性連接，掃描線通過第四接觸孔與柵極電性連接，數據線通過第一接觸孔和第二接觸孔與源極電性連接。