[發明專利]反應腔室清洗方法在審
| 申請號： | 201210422958.0 | 申請日： | 2012-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN103785646A | 公開（公告）日： | 2014-05-14 |
| 發明（設計）人： | 李俊良;蘇興才;王兆祥;劉志強 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | B08B6/00 | 分類號： | B08B6/00 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 張龍哺;馮志云 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反應 清洗 方法 | ||
1.一種反應腔室清洗方法，用于清洗等離子體處理工藝使用的反應腔室以及氣體噴淋頭表面堆積的聚合物，所述反應腔室下方設有靜電卡盤，該方法包括如下步驟：
a)、向所述反應腔室中通入清洗氣體；
b)、向所述反應腔室施加射頻電源，并向所述靜電卡盤施加一直流電源；其中，所述射頻電源作用于所述清洗氣體而產生等離子體，所述等離子體與所述聚合物反應而生成帶電離子，所述直流電源的電壓極性與所述帶電離子的電極性相同；
c)、抽出所述反應腔室中的剩余物質。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟b)中，所述直流電源施加于所述靜電卡盤的時間與所述射頻電源施加于所述反應腔室的時間同步。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述直流電源的電壓大于1?0?0伏特，不高于1?0?0?0伏特。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗氣體包括氧氣。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述清洗氣體還包括含氟氣體。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述清洗氣體的壓強為0.03Torr-1Torr。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物的構成包括氟元素、硅元素、碳元素。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述聚合物的構成還包括氧元素、鋁元素、銥元素、氮元素中的任一種或任多種。
9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述射頻電源的功率小于1?5?0?0W。
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