[發(fā)明專利]包括結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210422691.5
• 申請(qǐng)日: 2012-10-30
• 公開（公告）號(hào): CN102916049A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬榮耀;李鐵生;張磊;傅達(dá)平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔡純

1.一種半導(dǎo)體器件，包括結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括：

半導(dǎo)體襯底，具有第一摻雜類型并作為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極區(qū)；

外延層，位于半導(dǎo)體襯底上，具有第一摻雜類型；

體區(qū)，位于外延層中，具有第二摻雜類型，第二摻雜類型與第一摻雜類型是相反的摻雜類型；

源極區(qū)，位于外延層中，具有第一摻雜類型；以及

柵極區(qū)，位于體區(qū)中，具有第二摻雜類型，

其中，所述結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括屏蔽層，屏蔽層具有第二摻雜類型，位于外延層的內(nèi)部，并且位于源極區(qū)和漏極區(qū)之間的導(dǎo)電路徑中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中外延層的位于體區(qū)和屏蔽層之間的一部分為夾斷區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中體區(qū)是圍繞外延層的一部分的環(huán)形，并且源極區(qū)位于該部分的外延層中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中屏蔽層的橫向截面的形狀與有源區(qū)的形狀一致。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括溝槽柵極和柵介質(zhì)層，該溝槽柵極位于外延層中，并且由柵介質(zhì)層與外延層隔開。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中外延層的位于溝槽柵極和屏蔽層之間的一部分為夾斷區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，還包括溝槽MOSFET，該溝槽MOSFET包括：/

所述半導(dǎo)體襯底，作為漏極區(qū)；

所述外延層；

所述體區(qū)；

源極區(qū)，位于外延層中，具有第一摻雜類型；

溝槽柵極，穿過所述體區(qū)進(jìn)入所述外延層中；以及

柵介質(zhì)層，將溝槽柵極與所述體區(qū)和所述外延層隔開。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，還包括平面MOSFET，該平面MOSFET包括：

所述半導(dǎo)體襯底；

所述外延層；

所述體區(qū)；

源極區(qū)和漏極區(qū)，位于所述體區(qū)中，具有第一摻雜類型；

柵極導(dǎo)體，位于源極區(qū)和漏極區(qū)之間的體區(qū)上；以及

柵介質(zhì)層，位于柵極導(dǎo)體和體區(qū)之間，將柵極導(dǎo)體與所述體區(qū)隔開。

9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成外延層，半導(dǎo)體襯底具有第一摻雜類型，并且半導(dǎo)體襯底作為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極區(qū)，外延層具有第一摻雜類型；

在外延層中形成體區(qū)，體區(qū)具有第二摻雜類型，第二摻雜類型與第一摻雜類型是相反的摻雜類型；

在外延層的內(nèi)部形成屏蔽層，屏蔽層具有第二摻雜類型；

在外延層中形成結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極區(qū)，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極區(qū)具有第一摻雜類型；以及

在體區(qū)中形成結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極區(qū)，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極區(qū)具有第二摻雜類型，

其中，屏蔽層位于源極區(qū)和漏極區(qū)之間的導(dǎo)電路徑中。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，在形成結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極區(qū)之后，還包括：

在外延層中形成溝槽；

在溝槽內(nèi)壁形成柵介質(zhì)層；以及

采用柵極導(dǎo)體填充溝槽以形成結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝槽柵極。