[發明專利]一種在硅片上實施鋁擴散的方法

無效

• 申請號: 201210419969.3
• 申請日: 2012-10-29
• 公開（公告）號: CN103000502A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 楊惠民
• 申請（專利權）人: 江蘇卡迪諾節能保溫材料有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/02
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 胡定華

1.一種在硅片上實施鋁擴散的方法，其特征在于，包括以下步驟：

a、硅片正面制絨，然后在硅片背面鍍一層氧化硅隔離膜；

b、離子注入步驟:?選用固體AlCl₃作為鋁擴散源，在高真空下對固體鋁源加熱到120～170℃升華，以氬氣作為載體，將固體鋁源載入離子注入機燈絲源區與燈絲產生的電子碰撞，形成帶電鋁離子，通過高壓對帶電鋁離子進行加速，通過磁分析器對離子進行篩選，進一步將鋁雜質摻入硅片；

c、將上述硅片進行清洗，將硅片放入去離子水中超聲去砂，然后將去砂的硅片放入燒杯中，加入清洗液，加熱至沸騰，加熱時間5-10分鐘，所述清洗液為HF和水的混合物；

d、將清洗好的硅片用無水乙醇脫水，然后放入100-110℃的烘箱中烘干；

e、將烘干好的硅片放入擴散爐中，升溫至1250-1260℃，恒溫10-12小時。

2.根據權利要求1所述的一種在硅片上實施鋁擴散的方法，其特征在于：所述清洗液中HF和水以重量比為1:15-20比例混合。

3.根據權利要求1所述的一種在硅片上實施鋁擴散的方法，其特征在于：所述氧化硅隔離膜的厚度為50-80nm。