[發明專利]在半導體硅襯底上附生作為源漏極基底材料的鍺硅的方法在審

申請號：	201210419410.0	申請日：	2012-10-29
公開（公告）號：	CN103794496A	公開（公告）日：	2014-05-14
發明（設計）人：	何永根;涂火金	申請（專利權）人：	中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
主分類號：	H01L21/336	分類號：	H01L21/336
代理公司：	北京德琦知識產權代理有限公司 11018	代理人：	牛崢;王麗琴
地址：	201203 ***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體襯底附生作為源漏極基底材料方法
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【權利要求書】：

1.一種在半導體硅襯底上附生作為源漏極基底材料的鍺硅的方法，該方法包括：?

在半導體硅襯底上制作完極及柵極側墻，采用干法刻蝕柵極及柵極側墻2兩邊，在柵極及柵極側墻兩邊的半導體硅襯底中形成“弓”形凹進結構；?

使用氫氧化四甲基銨TMAH濕法刻蝕，使“弓”形凹進結構變為“∑”形凹進結構；?

在“∑”形凹進結構表面高溫生長氧化墊后，預清洗；?

在“∑”形凹進結構中附生鍺硅，形成源漏極鍺硅基底。?

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述高溫生長氧化墊采用快速熱氧化RTO方式、尖峰退火spike?anneal方式或高溫爐furnace氧化方式。?

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用RTO方式或spikeanneal方式時，采用氧氣和氮氣的混合氣體生長氧化墊。?

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述高溫生長氧化墊的溫度范圍為700攝氏度～1100攝氏度。?

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述高溫生長氧化墊的生長厚度為1埃～30埃。?

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述附生鍺硅采用的溫度為500攝氏度～800攝氏度，采用的壓力1托～100托，采用的氣體為氫化硅SiH₄，氯化氫HCI，氫化硼B₂H₆，氫化鍺GeH₄和氫氣H₂，其中的SiH₄、GeH₄和HCI和B₂H₆的混合氣體的流量為1～1000毫升每分鐘，氫氣的流量為0.1～50毫升每分鐘。?

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述附生鍺硅采用的溫度為500攝氏度～800攝氏度，采用的壓力1托～100托，采用的氣體為SiH₂CI₂、B₂H₆和H₂。?

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