[發(fā)明專利]一種絕緣互聯(lián)散熱板及功率模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210418921.0 | 申請日: | 2012-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN103794580B | 公開(公告)日: | 2018-09-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王波;朱陽軍;陸江;談景飛;褚為利;張文亮 | 申請(專利權(quán))人: | 上海聯(lián)星電子有限公司;中國科學院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/38 | 分類號: | H01L23/38 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 200120 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 絕緣 散熱 功率 模塊 | ||
本發(fā)明公開了一種絕緣互聯(lián)散熱板及功率模塊,所述絕緣互聯(lián)散熱板包括:熱電偶;第一絕緣層,該第一絕緣層的一側(cè)與所述熱電偶的冷端接觸,另一側(cè)設置有第一金屬層;第二絕緣層,該第二絕緣層的一側(cè)與所述熱電偶的熱端接觸。所述絕緣互聯(lián)散熱板通過熱電偶進行散熱,當熱電偶連接電源后,會將熱量由冷端傳遞到熱端進而釋放。所以采用所述絕緣互聯(lián)散熱板制備功率模塊,當功率芯片工作時,產(chǎn)生的熱量會隨著熱電偶的熱量傳遞而釋放到功率模塊的外部。可見,本申請所述技術(shù)方案為主動散熱,通過所述絕緣互聯(lián)散熱板,形成一個溫度差,更易于將熱量釋放到功率模塊的外部,所述絕緣互聯(lián)散熱板的高散熱效率,有效地保證了功率模塊性能的穩(wěn)定性以及可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導體器件制作工藝技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種絕緣互聯(lián)散熱板及功率模塊。
背景技術(shù)
由于功率模塊工作時會產(chǎn)生大量的熱量,如不對其進行及時有效的散熱,將會導致功率模塊中功率芯片等電子元件工作性能的不穩(wěn)定,甚至是導致各電子元件的損壞。
DBC(Direct Bonding Copper,直接覆銅)板由絕緣陶瓷層及設置在該絕緣陶瓷層上下表面的兩層金屬銅層構(gòu)成,絕緣陶瓷與金屬銅層具有良好的導熱性能,使得DBC板具有良好的散熱功能;且金屬銅層與絕緣陶瓷層具有較高的強度且二者具有較強的附著力,使得DBC板強度高且具有穩(wěn)定的物理結(jié)構(gòu),不易損壞;同時,其金屬銅層易于刻蝕電極圖形,能夠?qū)崿F(xiàn)功率器件的互聯(lián)。因此,DBC板成為目前功率器件最為常用的絕緣互聯(lián)散熱板。
參考圖1,圖1為現(xiàn)有的功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖,現(xiàn)有的功率模塊包括:DBC板1;設置在所述DBC板1上方的功率芯片2。其中,所述DBC板1包括:兩層銅層3以及位于所述兩層銅層3之間的陶瓷層4。
功率芯片為功率模塊的熱源,當功率器件工作時,其動靜態(tài)損耗會產(chǎn)生大量的熱量,這些熱量會使得工作溫度升高。現(xiàn)有的功率模塊散熱是將功率芯片產(chǎn)生的熱量通過DBC板1散發(fā)到模塊外部。然而,上述散熱方式是一種被動的散熱方式,僅依靠DBC板的熱傳導特性將熱量傳遞到功率模塊的外部,散熱效率低,并不能及時、有效的將模塊內(nèi)部的熱量釋放到外界,從而影響功率模塊性能的穩(wěn)定性以及可靠性。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種絕緣互聯(lián)散熱板及功率模塊,所述絕緣互聯(lián)散熱板具有較高的散熱效率,保證了功率模塊性能的穩(wěn)定性以及可靠性。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種絕緣互聯(lián)散熱板,其特征在于,包括:
熱電偶;
第一絕緣層,該第一絕緣層的一側(cè)與所述熱電偶的冷端接觸,另一側(cè)設置有第一金屬層;
第二絕緣層,該第二絕緣層的一側(cè)與所述熱電偶的熱端接觸。
優(yōu)選的,在上述絕緣互聯(lián)散熱板中,所述熱電偶由多個串聯(lián)的N型半導體結(jié)構(gòu)及P型半導體結(jié)構(gòu)構(gòu)成,所述N型半導體結(jié)構(gòu)及P型半導體結(jié)構(gòu)間隔排列,且所述N型半導體結(jié)構(gòu)的個數(shù)與所述P型半導體結(jié)構(gòu)的個數(shù)相同。
優(yōu)選的,在上述絕緣互聯(lián)散熱板中,所述第一絕緣層與第二絕緣層均為絕緣陶瓷層。
優(yōu)選的,在上述絕緣互聯(lián)散熱板中,所述第一絕緣層為三氧化二鋁層或是氮化鋁層;所述第二絕緣層為三氧化二鋁層或是氮化鋁層。
優(yōu)選的,在上述絕緣互聯(lián)散熱板中,所述絕緣互聯(lián)散熱板還包括:
位于所述第二絕緣層另一側(cè)的第二金屬層。
優(yōu)選的,在上述絕緣互聯(lián)散熱板中,所述第一金屬層和第二金屬層的材料均為銅。
優(yōu)選的,在上述絕緣互聯(lián)散熱板中,所述N型半導體結(jié)構(gòu)及P型半導體結(jié)構(gòu)采用銅、或鋁、或銀進行串聯(lián)。
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