[發(fā)明專利]使用濺射裝置的濺射方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210417924.2
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN103088305A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設計）人: 李在春
• 申請（專利權）人: 海蒂斯技術有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京邦信陽專利商標代理有限公司 11012
• 代理人: 王昭林

技術領域

本發(fā)明涉及一種使用濺射裝置的濺射方法（SPUTERRING?METHODUSING?OF?SPUTERRING?DEVICE），更詳細地涉及一種將對整個濺射靶材的整個掃描區(qū)間的一部分作為區(qū)間的掃描區(qū)間依次適用于掃描濺射靶材底面的同時移動的磁體的掃描區(qū)間，由此提高濺射靶材的使用效率的使用濺射裝置的濺射方法。

背景技術

一般來說,濺射裝置為在半導體元器件用基板或液晶顯示裝置用基板上形成薄膜時廣泛使用的一種成膜裝置，在半導體元器件的制造或液晶顯示裝置的制造中被視為非常重要的裝置。

圖1是濺射裝置的示意圖。參照圖1，濺射裝置在真空腔室101的內(nèi)側配置有用來安置基板103的基座102和在基板103的相對面上作為蒸鍍源使用的金屬物質(zhì)濺射靶材104。

其中，濺射靶材104通過支承板（back?plate）105固定，并供給將在基板103上形成薄膜的材料，而且沿著濺射靶材104的側面設置有接地屏蔽（ground?shield）106，沿著基板103和濺射靶材104之間的周邊部設置有掩膜107。

在支承板105的底面通過規(guī)定的驅(qū)動裝置109結合有用于施加DC電源的磁體（magnet）108，所述磁體108可在濺射靶材104的左右方向移動。

在如上狀態(tài)下，當向真空腔室101的內(nèi)部注入惰性氣體氬氣（Ar），并對濺射靶材104施加DC偏壓時，惰性氣體成為離子化的等離子狀態(tài)，而且離子與濺射靶材104沖突，濺射靶材104釋放出原子并在基板103上形成薄膜。

此時，磁體108如圖2所示做左右方向的往返運動，并掃描濺射靶材104的同時供給磁場，以引導離子與濺射靶材104沖突。

而在以往的磁體108的掃描動作中，由于在濺射靶材104的左側端部和右側端部中需要降低掃描速度，因此與中央部相比停留時間長，當磁體108長時間停留時，磁體108的掃描區(qū)間D的左側端部和右側端部與中央部相比，在磁場中暴露的時間相對較長。

即在濺射靶材103中，磁體108的暴露時間相對較長的左側端部和右側端部中產(chǎn)生的侵蝕比中央部產(chǎn)生的侵蝕相對較多。

圖3是圖2的Ｉ-Ｉ向剖視圖。從圖3中可看出，與最初設置時的濺射靶材A的厚度t1相比，在濺射靶材A的兩側端部中產(chǎn)生的厚度t3的侵蝕比中央部產(chǎn)生的厚度t2的侵蝕更多。

結果是，設置在濺射裝置的濺射靶材中，與中央部相比，在左側端部和右側端部中產(chǎn)生相對集中侵蝕的部分，存在濺射靶材的使用效率下降的問題。

而且，隨著濺射靶材的低使用效率，還存在濺射靶材的更換周期加快的問題。

另外，隨著濺射靶材的更換周期的加快，存在制造成本增加的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是為了解決如上所述以往問題而提出的，其目的是提供一種使用濺射裝置的濺射方法，該方法通過在濺射裝置中濺射靶材的均勻的侵蝕，能夠提高濺射靶材的使用效率，并延長濺射靶材的更換周期。

而且，本發(fā)明的目的是提供一種使用濺射裝置的濺射方法，該方法通過延長濺射靶材的更換周期，能夠降低制造成本。

本發(fā)明的目的可通過如下的本發(fā)明一實施例的使用濺射裝置的濺射方法來實現(xiàn)。本發(fā)明一實施例的使用濺射裝置的濺射方法，設定從濺射靶材的一側到另一側的整個掃描區(qū)間，并使磁體沿著所述整個掃描區(qū)間做正向和反向的連續(xù)多次往返運動，以掃描所述濺射靶材，其特征在于，包括：原掃描步驟，以掃描方向為基準從所述濺射靶材的左側端部到右側端部將所述整個掃描區(qū)間區(qū)劃為n個部分，并設定分別以第p個部分和第n-p+1個部分為開始部分和結尾部分的原掃描區(qū)間，并使所述磁體將所述原掃描區(qū)間至少往返掃描一次，其中n為等于或大于4的整數(shù)，p為等于或大于1且等于或小于n/2的整數(shù)；及變更掃描步驟，在所述原掃描步驟后，設定分別以第q個部分和第n-q+1個部分為開始部分和結尾部分的變更掃描區(qū)間，并使所述磁體將所述變更掃描部分至少往返掃描一次，其中q為等于或大于1且等于或小于n/2的整數(shù)，并且q≠p，所述變更掃描步驟至少執(zhí)行一次。

其中，在所述變更掃描步驟中，所述q為p-1或p+1。

其中，當所述變更掃描步驟執(zhí)行兩次以上時，將多個變更掃描區(qū)間的開始部分及結尾部分設定為互不相同。