[發明專利]堆疊封裝結構無效
| 申請號： | 201210417644.1 | 申請日： | 2012-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN103050455A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發明（設計）人： | 陳泰宇;張峻瑋;吳忠樺 | 申請（專利權）人： | 聯發科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 李鶴松 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 堆疊 封裝 結構 | ||
1.一種堆疊封裝結構，其特征在于，包括：
上封裝體，包括第一基底及安裝在該第一基底上的第一芯片，其中該第一基底的熱導率大于70W/(m×K)；以及
下封裝體，位于該上封裝體下方，包括第二基底及安裝在該第二基底上的第二芯片，其中該第二芯片的上表面與該第一基底的下表面熱接觸。
2.根據權利要求1所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該上封裝體還包括散熱片，該散熱片與該第一芯片的上表面熱接觸。
3.根據權利要求1所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該第一芯片通過多個凸塊或導線電連接至該第一基底。
4.根據權利要求1所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該第一基底為硅基底。
5.根據權利要求1所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該第二芯片內包括多個貫穿基底的通孔，使該第二芯片通過該多個貫穿基底的通孔與該第一基底及/或該第二基底電連接。
6.根據權利要求1所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該第二芯片通過該第二芯片與該第一基底之間的導熱界面材料或通過該第二芯片與該第一基底之間的直接接觸與該第一基底熱接觸。
7.根據權利要求1所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該第二芯片通過該第二芯片與該第一基底之間的導熱界面材料與該第一基底熱接觸，該導熱界面材料包括焊料凸塊、銅凸塊、熱脂或微米銀。
8.根據權利要求1所述的堆疊封裝結構，其特征在于，包括多個凸塊，設置于該第一基底與該第二基底之間，使該第一基底電連接至該第二基底。
9.根據權利要求1所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該第二基底的熱導率大于70W/(m×K)。
10.根據權利要求1所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該第二基底為硅基底。
11.一種堆疊封裝結構，其特征在于，包括：
上封裝體，包括第一基底及安裝在該第一基底上的第一芯片，其中至少一個電浮置接合墊位于該第一基底的下表面；以及
下封裝體，位于該上封裝體下方，包括第二基底及安裝在該第二基底上的第二芯片，其中該第二芯片的上表面與該電浮置接合墊熱接觸。
12.根據權利要求11所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該上封裝體還包括散熱片，該散熱片與該第一芯片的上表面熱接觸。
13.根據權利要求11所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該第一芯片通過多個凸塊或導線而電連接至該第一基底。
14.根據權利要求11所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該第一基底為印刷電路板。
15.根據權利要求14所述的堆疊封裝結構，其特征在于，至少三層銅層埋設于該印刷電路板內的不同層位，且其中該電浮置接合墊連接至該至少三層銅層的其中一層銅層。
16.根據權利要求11所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該第二芯片內包括多個貫穿基底的通孔，使該第二芯片通過該多個貫穿基底的通孔與該第一基底及/或該第二基底電連接。
17.根據權利要求11所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該第二芯片通過該第二芯片與該電浮置接合墊之間的導熱界面材料或通過該第二芯片與該電浮置接合墊之間的直接接觸與該電浮置接合墊熱接觸。
18.根據權利要求11所述的堆疊封裝結構，其特征在于，該第二芯片通過該第二芯片與該電浮置接合墊之間的導熱界面材料與該電浮置接合墊熱接觸，該導熱界面材料包括焊料凸塊、銅凸塊、熱脂或微米銀。
19.根據權利要求11所述的堆疊封裝結構，其特征在于，包括多個凸塊，設置于該第一基底與該第二基底之間，使該第一基底電連接至該第二基底。
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