[發明專利]用三重態管理器的有機半導體激光器

有效

• 申請號: 201210417365.5
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN103094836B
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發明（設計）人: S·R·弗里斯特;張一帆
• 申請（專利權）人: 密執安州立大學董事會
• 主分類號: H01S5/30
• 分類號: H01S5/30;H01S5/10
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 曹瑾

1.一種光電裝置，其進一步包括：

有機半導體激光器，所述有機半導體激光器進一步包括：

光學共振腔；

布置在所述光學共振腔內的有機層，所述有機層包括：

有機主體化合物；

能夠熒光發射的有機發光化合物；以及

有機摻雜劑化合物；

其中：

所述有機摻雜劑化合物的三重態能量低于或等于所述有機主體化合物的三重態能量；

所述有機摻雜劑化合物的所述三重態能量低于或等于所述有機發光化合物的三重態能量；

所述有機發光化合物的單重態能量低于或等于所述有機主體化合物的單重態能量。

2.如權利要求1所述的裝置，其中所述有機發光化合物的所述單重態能量低于所述有機主體化合物的所述單重態能量。

3.如權利要求1所述的裝置，其中所述有機發光化合物的所述單重態能量低于所述有機摻雜劑化合物的單重態能量。

4.如權利要求1所述的裝置，其中所述有機摻雜劑化合物不會強烈地吸收所述有機發光化合物的所述熒光發射。

5.如權利要求1所述的裝置，其進一步包括光學耦合至所述有機層的光泵。

6.如權利要求1所述的裝置，其中所述有機半導體激光器進一步包括：

陽極；

陰極；

其中所述有機層布置在所述陽極與所述陰極之間；

布置在所述有機層與所述陽極之間的空穴傳輸層；以及

布置在所述有機層與所述陰極之間的電子傳輸層；

其中所述有機摻雜劑化合物只存在于發光層中。

7.如權利要求1所述的裝置，其中所述摻雜劑化合物的三重態衰減時間比所述發光化合物的三重態衰減時間短。

8.如權利要求1所述的裝置，其中：

所述摻雜劑化合物的濃度為10wt％-90wt％；

所述發光化合物的濃度為0.5wt％-5wt％。

9.如權利要求1所述的裝置，其中所述有機發光化合物能夠在室溫下熒光發射。

10.如權利要求1所述的裝置，其中所述摻雜劑化合物選自由以下各項組成的組：蒽、并四苯、紅熒烯和苝以及它們的衍生物。

11.如權利要求1所述的裝置，其中所述摻雜劑化合物選自蒽以及其衍生物。

12.如權利要求11所述的裝置，其中所述摻雜劑化合物是ADN。

13.如權利要求1所述的裝置，其中所述摻雜劑化合物是磷光體。

14.如權利要求1所述的裝置，其中所述摻雜劑化合物是熒光團。

15.如權利要求1所述的裝置，其中所述裝置是消耗品。

16.如權利要求6所述的裝置，其中所述有機半導體激光器進一步包括：

布置在所述陽極與所述空穴傳輸層之間的空穴注入層；以及

布置在所述陰極與所述電子傳輸層之間的電子注入層。

17.如權利要求6所述的裝置，其中所述有機半導體激光器進一步包括反饋結構。

18.如權利要求17所述的裝置，其中所述反饋結構包括以下的任何一個，或以下的某種組合：

平面波導結構；

分布式反饋結構；

布拉格反射反饋結構；或者

垂直腔面結構表面發射激光器(VCSEL)。

19.如權利要求6所述的裝置，其中所述有機半導體激光器進一步包括襯底，其中：

所述陽極布置在所述襯底上；以及

至少一個反射鏡布置在所述襯底與所述陽極之間。