[發明專利]一種阻止Ag在TiAlN涂層中高溫晶界擴散的方法有效
| 申請號： | 201210413826.1 | 申請日： | 2012-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN103774103A | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發明（設計）人： | 馮長杰;李明升;江鳶飛;胡弦;周雅;杜楠 | 申請（專利權）人： | 南昌航空大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南昌洪達專利事務所 36111 | 代理人： | 劉凌峰 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 阻止 ag tialn 涂層 高溫 擴散 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種阻止Ag在TiAlN涂層中高溫晶界擴散的方法，其特征在于所述方法為在磁控濺射沉積TiAlN-Ag復合涂層時，采用單獨的Si靶和磁控濺射技術，向TiAlN-Ag涂層中添加Si3N4組元，使其存在于?TiAlN的晶界上，構成TiAlN-Ag/Si3N4涂層。
2.根據權利要求1所述一種阻止Ag在TiAlN涂層中高溫晶界擴散的方法，其特征在于所述的TiAlN-Ag/Si3N4涂層中Ag含量在1-10at%，Si含量在8-10at%。
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