[發明專利]一種R-Fe-B系燒結磁體的制備方法

有效

• 申請號: 201210410546.5
• 申請日: 2012-10-24
• 公開（公告）號: CN102930975A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 于永江;趙軍濤;孫秀彥;李廣軍;李咚咚;史丙強
• 申請（專利權）人: 煙臺正海磁性材料股份有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/057;C22C38/00;C22C33/02
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種R-Fe-B系燒結磁體的制備方法，其特征在于，包括：

1）燒坯合金在真空或氬氣氣氛中熔化成熔體，將熔體在1300～1600℃澆注到急冷輥上形成鱗片，急忙急冷輥轉速為20～60r/min；

2）步驟1）形成的鱗片經過HD制粉，氣流磨，制成粒度為2～10μm的粉末；

3）步驟2）制得的粉末在15KOe的磁場中取向成型，制成生坯，將生坯放入Ar氣氛下的燒結爐中，在900～1300℃下燒結1～100h；

4）將步驟3）燒結后的生坯在450～650℃溫度下時效2～50h，得到燒坯，依次用堿溶液、去離子水洗滌燒坯表面，干燥；

5）用Dy或Tb的氧化物或氟化物與乙醇混合，按1:20～1:50重量比例混合，配成漿液，均勻涂覆在步驟4）干燥后的燒坯表面，烘干，得到Dy或Tb的氧化物或氟化物的涂層，涂層厚度為5μm～2mm；

6）在真空或Ar保護氣氛中，將金屬加熱到900～1000℃，蒸鍍到步驟5）得到的涂層上，厚度為1μm～1mm，制得磁體；

7）將步驟6）制得的磁體放入真空或Ar保護氣氛中，200～800℃恒溫，使金屬和Dy或Tb的化合物發生置換反應，反應0.5～10h；

8）在真空800～1100℃下恒溫2～100h或在Ar保護氣氛中恒壓10～100Pa，步驟7）處理后的磁體發生滲Dy或滲Tb反應；

9)在真空或Ar保護氣氛中，對步驟8）處理后的磁體進行時效處理，時效處理的條件為450～650℃處理2～50h，時效處理后Dy或Tb滲層的厚度為50μm～10mm，磁體冷卻到室溫，即得。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟1）中所述澆注溫度為1400～1500℃；所述急冷輥轉速為30～50r/min。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟2）中所述粉末粒度為3～5μm。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟3）中所述燒結溫度為1000～1100℃，燒結2～50h。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟4）中所述時效溫度為450～500℃，時效4～20h，所述堿溶液為NaOH或KOH，所述燒坯的通式為R-Fe-B-M-X，其中，R是稀土元素Nd、Pr、Tb、Dy、Sc、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Ho、Er、Yb、Lu中一種或幾種，R含量為26wt%<R<32wt%；B含量為0.5wt%～2wt%；M為Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Ga、Ca、Cu、Zn、Si、Al、Mg、Zr、Nb、Hf、Ta、W、Mo中的一種或幾種；M含量為小于5wt%；X為O、C和N，其中，100ppm<O<1500ppm，N<3000ppm，C<1500ppm，剩余為Fe。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟5）中所述涂層厚度為10μm～1.5mm。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟6）中所述金屬為鉀或鈉，厚度為5μm～0.5mm。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟7）中所述恒溫為250～600℃，反應1～8h。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟8）中所述在真空的反應條件為900～1000℃下對磁體進行1～50h恒溫熱處理，所述在Ar保護氣氛中的反應條件為恒壓20～80Pa。

10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟9）中所述時效處理的條件為500～550℃℃處理4～20h。