[發明專利]固態成像器件和照相機有效
| 申請號: | 201210409870.5 | 申請日: | 2008-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN102938408A | 公開(公告)日: | 2013-02-20 |
| 發明(設計)人: | 糸長總一郎;大屋雄 | 申請(專利權)人: | 索尼株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 宋鶴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 器件 照相機 | ||
1.一種固態成像器件,包括:
具有以二維形式排列的多個像素的像素單元,每個像素包括光電轉換元件和用于將在所述光電轉換元件中生成的電荷傳送到浮動擴散部的傳送晶體管,
其中第一隔離區被形成在像素之間,并且第二隔離區被形成在所述浮動擴散部和所述第一隔離區之間。
2.如權利要求1所述的固態成像器件,其中所述第一隔離區與所述第二隔離區具有不同的形狀結構。
3.如權利要求1所述的固態成像器件,其中所述第二隔離區由淺槽結構形成。
4.如權利要求1所述的固態成像器件,其中所述第二隔離區連續地從與所述浮動擴散部毗連的部分延伸到所述傳送晶體管的柵極之下的部分。
5.如權利要求4所述的固態成像器件,其中雜質擴散隔離區介于所述傳送晶體管的柵極之下的淺槽隔離區的延伸部分的末端和所述光電轉換元件之間。
6.如權利要求1所述的固態成像器件,其中膜厚度等于柵絕緣膜的膜厚度的平整絕緣膜被形成在所述第二隔離區和所述雜質擴散隔離區上。
7.如權利要求1所述的固態成像器件,其中比柵絕緣膜厚的絕緣膜被形成在所述雜質擴散隔離區上。
8.如權利要求1所述的固態成像器件,還包括所述像素中的復位晶體管,其中所述復位晶體管的源極區與所述浮動擴散部相同。
9.如權利要求1所述的固態成像器件,其中多個所排列的像素共享除了所述傳送晶體管之外的像素晶體管。
10.如權利要求9所述的固態成像器件,其中所述像素晶體管至少包括所述復位晶體管。
11.如權利要求1所述的固態成像器件,其中所述第一隔離區由雜質擴散隔離區形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





