[發(fā)明專利]晶片清洗裝置及其工序方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210401230.X
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN103077908A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高臺鎬
• 申請（專利權(quán)）人: 聰明太華有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京康盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11331
• 代理人: 張良

1.一種晶片清洗裝置，其特征在于，包括：

第一清洗部，針對收納在盒中的晶片，在收容有超純水的浸漬單元利用氮泡沫清洗上述晶片；

第二清洗部，與上述第一清洗部相鄰設(shè)置，將清洗后的上述晶片放置于旋轉(zhuǎn)卡盤，并借助上述旋轉(zhuǎn)卡盤的旋轉(zhuǎn)和旋轉(zhuǎn)刷再次清洗上述晶片；

干燥部，與上述第二清洗部相鄰設(shè)置，用于對再次清洗后的上述晶片進(jìn)行干燥；

移送部，用于從上述第一清洗部向上述第二清洗部移送上述晶片，或從上述第二清洗部向上述干燥部移送上述晶片，該移送部具有晶片處理器；以及

控制部，用于控制上述第一清洗部、第二清洗部、干燥部以及移送部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗裝置，其特征在于，上述第二清洗部以多個單元構(gòu)成，以反復(fù)進(jìn)行多次將上述晶片再次清洗的工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗裝置，其特征在于，上述第二清洗部中包括第一分配噴嘴，該第一分配噴嘴用于向旋轉(zhuǎn)卡盤方向噴射超純水。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗裝置，其特征在于，上述移送部中還具有傳送臂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗裝置，其特征在于，上述干燥部中具有干燥卡盤，該干燥卡盤用于使經(jīng)由上述第二清洗部的晶片旋轉(zhuǎn)。

6.一種晶片清洗方法，利用如權(quán)利要求1至5中任一項所述的晶片清洗裝置，上述晶片清洗方法的特征在于，包括以下步驟：

步驟1），將收納在盒中的晶片收容到在浸漬單元收容的超純水中，利用氮泡沫第一次清洗晶片的步驟；

步驟2），利用旋轉(zhuǎn)卡盤和旋轉(zhuǎn)刷，并使用超純水再次清洗經(jīng)上述步驟1）后的晶片的步驟；

步驟3），對經(jīng)上述步驟2）后的晶片進(jìn)行干燥的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片清洗方法，其特征在于，上述步驟2）中，上述旋轉(zhuǎn)卡盤和旋轉(zhuǎn)刷分別按正方向或逆方向旋轉(zhuǎn)，上述旋轉(zhuǎn)卡盤和旋轉(zhuǎn)刷按相互不同的方向旋轉(zhuǎn)來清洗上述晶片。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片清洗方法，其特征在于，上述旋轉(zhuǎn)刷一邊從上述晶片的中心一側(cè)向邊緣方向掃掠一邊移動。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片清洗方法，其特征在于，

上述步驟2）由多個單元進(jìn)行，以依次清洗上述晶片；

上述多個單元中的至少某一個單元反復(fù)實現(xiàn)清洗上述晶片的工作狀態(tài)或不清洗上述晶片的等待狀態(tài)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片清洗方法，其特征在于，上述步驟2）中，在等待狀態(tài)下使用超純水清洗上述旋轉(zhuǎn)刷。