[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)以及制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210399320.X
• 申請(qǐng)日: 2012-10-18
• 公開（公告）號(hào): CN103779234A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊志剛;陳林林;倪百兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

提供具有頂部金屬層和頂部通孔的金屬疊層；

在所述金屬疊層上沉積第一鈍化層，以覆蓋所述頂部金屬層；

圖案化所述第一鈍化層，形成開口以露出所述頂部金屬層；

依次沉積第一金屬阻擋層、第一焊盤金屬層、第二金屬阻擋層、第二焊盤金屬層，以形成焊盤金屬疊層，其中，所述焊盤金屬疊層通過所述開口與所述頂部金屬層連接；

圖案化所述焊盤金屬疊層，以露出所述第一鈍化層；

沉積第二鈍化層，然后圖案化所述第二鈍化層，以露出所述焊盤金屬疊層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在沉積所述第二鈍化層之前，還包括進(jìn)一步形成多層由所述金屬阻擋層、焊盤金屬層交替沉積形成的復(fù)合層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬阻擋層為TaN、TiN和TaN中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金屬阻擋層為TaN、TiN和TaN中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬阻擋層和所述第二金屬阻擋層的沉積方法為PVD。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焊盤金屬層為Al。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二焊盤金屬層為Al。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述第一金屬阻擋層和所述第二金屬阻擋層的硬度大于所述第一焊盤金屬層和所述第二焊盤金屬層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焊盤金屬層和所述第二焊盤金屬層的沉積方法為PVD。

10.一種半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)，包括：

金屬疊層，至少包括頂部金屬層和位于所述頂部金屬層下方的頂部通孔；

位于所述頂部金屬層上具有第一開口的第一鈍化層；

位于所述第一鈍化層上的焊盤金屬疊層，所述焊盤金屬疊層至少包括依次層疊的第一金屬阻擋層、第一焊盤金屬層、第二金屬阻擋層和第二焊盤金屬層，所述焊盤金屬疊層通過所述第一開口與所述頂部金屬層相連；

位于所述第一鈍化層和焊盤金屬疊層上的第二鈍化層，所述第二鈍化層具有第二開口，以露出所述焊盤金屬疊層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬阻擋層和所述第二金屬阻擋層為TaN、TiN和TaN中的一種或多種。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一焊盤金屬層和所述第二焊盤金屬層為Al。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層為PESIN、PETEOS、SiN和TEOS中的一種或多種。