[發明專利]降低線條粗糙度的光刻方法在審
| 申請號： | 201210395430.9 | 申請日： | 2012-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN103777466A | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發明（設計）人： | 孟令款;賀曉彬;李春龍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F1/80;H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 線條 粗糙 光刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低線條粗糙度的光刻方法，包括：
在襯底上形成結構材料層和硬掩模層；
在硬掩模層上形成電子束光刻膠，執行電子束過曝光形成電子束光刻膠圖形，其中增大曝光劑量以改善粗糙度；
以電子束光刻膠圖形為掩模，刻蝕形成硬掩模圖形；
以硬掩模圖形為掩模，刻蝕結構材料層，形成所需要的精細線條。
2.如權利要求1所述的方法，其中，硬掩模層包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及其組合。
3.如權利要求2所述的方法，其中，硬掩模層為氧化硅-氮化硅-氧化硅的疊層結構。
4.如權利要求1所述的方法，其中，電子束過曝光劑量為正常劑量的100％～200％。
5.如權利要求1所述的方法，其中，硬掩模層和/或結構材料層的刻蝕采用等離子體干法刻蝕技術。
6.如權利要求5所述的方法，其中，等離子體干法刻蝕采用CCP或ICP或TCP設備。
7.如權利要求1所述的方法，其中，刻蝕硬掩模和/或結構材料層之后還包括干法去膠和/或濕法腐蝕清洗。
8.如權利要求1所述的方法，其中，結構材料層為假柵電極層、金屬柵電極層、局部互連層中的一種。
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