[發明專利]一種高壓二極管芯片合金工藝

有效

• 申請號: 201210394408.2
• 申請日: 2012-10-17
• 公開（公告）號: CN102945810A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 黃麗鳳
• 申請（專利權）人: 如皋市大昌電子有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

技術領域

本發明涉及一種高壓二極管芯片合金工藝。

背景技術

在高壓二極管芯片加工時，需要對芯片表面鍍一層貴金屬金，增加芯片與焊料的浸潤性。通常，采用的處理方法如化學鍍金，化學鍍是一種新型的金屬表面處理技術，該技術工藝簡便、快捷。但是，化學鍍金過程，易引入劇毒性物品氰化金鉀，造成生產過程的不安全。同時，金的價格昂貴，鍍金后使產品的成本大幅提升。

發明內容

本發明的目的是提供一種生產安全、成本較低的高壓二極管芯片合金工藝。

為了解決上述技術問題，本發明采用的技術方案為：一種高壓二極管芯片合金工藝，其特征在于：包括以下步驟：

（1）將鍍鎳芯片與高溫焊片逐片間隔堆疊，最外層鍍鎳芯片的另一面各放置一片低溫焊片；

（2）將上述堆疊的材料置于高頻合金爐內進行一次合金加熱，使高溫焊片與鍍鎳芯片形成良好的合金，將低溫焊片完全熔化，完全覆蓋于最外層鍍鎳芯片，以防止最外層鍍鎳芯片氧化；

（3）在上述一次合金半產品兩面各放置一片低溫焊片，置于高頻合金爐中進行二次合金加熱，使低溫焊片與一次合金半產品形成良好合金。

優選地，步驟（1）中所述高溫焊片厚度為50um~100um，液相線305℃，所述低溫焊片厚度為30um~80um，液相線280℃。

優選地，步驟（2）中所述合金加熱條件為：熔化深度300um~600um，轉換功率35%~50%。

優選地，步驟（3）中所述低溫焊片厚度為80um~120um，液相線280℃；所述二次合金加熱條件為：熔化深度50um~90um，轉換功率15%~35%。

本發明的有益效果如下：

1.?本發明直接使用鍍鎳芯片，與焊片結合使用得到高壓二極管芯片，避免使用化學鍍金，降低安全風險，并能夠節約制作成本；

2.?通過調節熔化深度和轉換功率，及在一次合金最外層使用低溫焊片，防止一次合金過程中鍍鎳片被氧化，保證鍍鎳擴散片與焊片形成良好合金，保證產品質量。

附圖說明

圖1?為本發明一次合金半成品結構示意圖。

圖2為本發明二次合金產品結構示意圖。

圖中，1為低溫焊片，2為高溫焊片，3為鍍鎳芯片，4為一次合金半成品，5為低溫焊片。

具體實施方式

為了使公眾能充分了解本發明的技術實質和有益效果，申請人將在下面結合附圖對本發明的具體實施方式詳細描述，但申請人對實施例的描述不是對技術方案的限制，任何依據本發明構思作形式而非實質的變化都應當視為本發明的保護范圍。

如圖1、2所示，為本發明一次合金半成品和二次合金產品結構示意圖，包括：低溫焊片1，高溫焊片2，鍍鎳芯片3，一次合金半成品4，低溫焊片5。

一種高壓二極管芯片合金工藝，包括以下步驟：

（1）將鍍鎳芯片3與高溫焊片2逐片間隔堆疊，最外層鍍鎳芯片3的另一面各放置一片低溫焊片，如圖1所示：低溫焊片1厚度為30um~80um，液相線280℃，高溫焊片2厚度為50um~100um，液相線305℃；

（2）將上述堆疊的材料置于高頻合金爐內進行一次合金加熱，使高溫焊片2與鍍鎳芯片3形成良好的合金，熔化深度300um~600um，轉換功率35%~50%，將低溫焊片1完全熔化，完全覆蓋于最外層鍍鎳芯片，以防止最外層鍍鎳芯片3氧化，；

（3）在上述一次合金完成半產品4兩面各放置一片低溫焊片5，低溫焊片5厚度為80um~120um，液相線280℃，置于高頻合金爐中進行二次合金加熱，熔化深度50um~90um，轉換功率15%~35%，使低溫焊片5與一次合金半產品4形成良好合金。