[發明專利]一種高壓二極管芯片合金工藝

有效

• 申請號: 201210394408.2
• 申請日: 2012-10-17
• 公開（公告）號: CN102945810A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 黃麗鳳
• 申請（專利權）人: 如皋市大昌電子有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

1.一種高壓二極管芯片合金工藝，其特征在于：包括以下步驟：

（1）將鍍鎳芯片與高溫焊片逐片間隔堆疊，最外層鍍鎳芯片的另一面各放置一片低溫焊片；

（2）將上述堆疊的材料置于高頻合金爐內進行一次合金加熱，使高溫焊片與鍍鎳芯片形成良好的合金，將低溫焊片完全熔化，完全覆蓋于最外層鍍鎳芯片，以防止最外層鍍鎳芯片氧化；

（3）在上述一次合金半產品兩面各放置一片低溫焊片，置于高頻合金爐中進行二次合金加熱，使低溫焊片與一次合金半產品形成良好合金。

2.根據權利要求1所述的一種高壓二極管芯片合金工藝，其特征在于：步驟（1）中所述高溫焊片厚度為50um~100um，液相線305℃，所述低溫焊片厚度為30um~80um，液相線280℃。

3.根據權利要求1所述的一種高壓二極管芯片合金工藝，其特征在于：步驟（2）中所述合金加熱條件為：熔化深度300um~600um，轉換功率35%~50%。

4.根據權利要求1所述的一種高壓二極管芯片合金工藝，其特征在于：步驟（3）中所述低溫焊片厚度為80um~120um，液相線280℃；所述二次合金加熱條件為：熔化深度50um~90um，轉換功率15%~35%。