[發明專利]半導體器件制造方法

有效

• 申請號: 201210393669.2
• 申請日: 2012-10-16
• 公開（公告）號: CN103730369B
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 尹海洲;趙治國
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙)11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件制造方法，包括：

在襯底上形成單晶刻蝕停止層和單晶假柵極層；

濕法腐蝕單晶假柵極層，停止在單晶刻蝕停止層上，形成假柵極圖形；

在假柵極圖形周圍形成柵極側墻；

濕法腐蝕去除假柵極圖形，留下柵極溝槽；

在柵極溝槽中形成柵極堆疊。

2.如權利要求1的方法，其中，采用外延生長形成刻蝕停止層和假柵極層。

3.如權利要求1的方法，其中，刻蝕停止層還向襯底施加應力。

4.如權利要求1的方法，其中，假柵極層為單晶Si，采用TMAH濕法腐蝕。

5.如權利要求1的方法，其中，假柵極圖形的側壁為(111)晶面。

6.如權利要求1的方法，其中，形成假柵極圖形之后，形成柵極側墻之前還包括：在所述假柵極圖形兩側，襯底之中形成輕摻雜的源漏擴展區。

7.如權利要求1的方法，其中，形成柵極側墻之后，濕法腐蝕去除假柵極層之前進一步包括：

在所述柵極側墻兩側，襯底之中形成重摻雜的源漏區；

形成層間介質層，覆蓋刻蝕停止層、柵極側墻和假柵極圖形；

平坦化層間介質層直至暴露假柵極圖形。

8.如權利要求1的方法，其中，刻蝕停止層包括單晶的SiGe、Si:C、Si:H、SiGe:C或組合。

9.如權利要求1的方法，其中，柵極側墻包括氮化硅、氮氧化硅、類金剛石無定形碳或組合。