[發(fā)明專利]一種石墨烯的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210390882.8 | 申請日: | 2012-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN102874801A | 公開(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 狄增峰;王剛;朱云;陳達(dá);張苗;丁古巧;謝曉明 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號: | C01B31/04 | 分類號: | C01B31/04 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 石墨 制備 方法 | ||
1.一種石墨烯的制備方法,其特征在于,所述制備方法至少包括:
1)提供一半導(dǎo)體基底;
2)在氫氣和惰性氣氛下,將所述半導(dǎo)體基底加熱至810~910℃;
3)保持步驟2)中溫度不變,在氫氣和惰性氣氛下向步驟2)的反應(yīng)體系中通入碳源,采用化學(xué)氣相沉積的方法在所述步驟2)處理完畢的半導(dǎo)體基底表面進(jìn)行反應(yīng);
4)反應(yīng)完畢后關(guān)閉所述碳源,并在氫氣和惰性氣氛下冷卻至室溫,完成在所述半導(dǎo)體基底表面制備石墨烯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯的制備方法,其特征在于:所述半導(dǎo)體基底包括鍺或砷化鎵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯的制備方法,其特征在于:所述碳源選自氣態(tài)碳源、液態(tài)碳源和固態(tài)碳源的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種石墨烯的制備方法,其特征在于:所述氣態(tài)碳源為甲烷、乙炔或乙烯,所述液態(tài)碳源為甲醇或乙醇,所述固態(tài)碳源為聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚二甲基硅氧烷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的一種石墨烯的制備方法,其特征在于:所述步驟3)中,所述碳源的流量為0.1~20sccm;所述氫氣的流量為2~100sccm;所述反應(yīng)時間為20~120min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯的制備方法,其特征在于:所述步驟1)還包括將所述半導(dǎo)體基底分別用水、去離子水、乙醇和丙酮清洗干凈的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種石墨烯的制備方法,其特征在于:所述步驟4)中制備的石墨烯為單層或雙層石墨烯薄膜。
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