[發明專利]擴散機臺有效
| 申請號: | 201210389832.8 | 申請日: | 2012-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN103730388A | 公開(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發明(設計)人: | 邱世維 | 申請(專利權)人: | 茂迪股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新北市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 擴散 機臺 | ||
技術領域
本發明是有關于一種半導體制程機臺,且特別是有關于一種擴散機臺。
背景技術
在一般的擴散制程中,通常是將反應氣體導入爐管中,反應氣體在爐管中擴散并與基材表面產生所需的反應。然而,由于爐門與爐管的界面的封閉性不足,驅使部分的反應氣體流向爐門與爐管的界面,而這些反應氣體容易在爐門與爐管的交界處凝結,進而在此交界處形成液體甚至固體的殘留。
這些制程液體與固體的殘留極易腐蝕爐門與爐管的交界處的石英,而使爐門與爐管受損。爐門與爐管口受損后,保養人員需拆卸爐管與爐門。然,由于爐管與爐門的拆卸與安裝需耗時超過二個的工作天,甚至若送修爐管,整個的維修時間更超過二周,嚴重影響生產或實驗的進行。
因為,爐管與爐門的拆卸與安裝實在太過耗時,所以目前在進行擴散機臺的維修保養時,并不會拆卸爐管與爐門,而是以通入去離子水并于高溫中形成水蒸氣來清洗。但是,去離子水的清洗并無法有效去除爐門與爐管口的交界處殘留的制程液體與固體,致使爐門與爐管口的交界處仍是容易受到制程液體與固體的腐蝕。
發明內容
因此,本發明的一方面就是在提供一種擴散機臺,其在爐管開口處及/或爐門上設有護蓋,可保護爐管與爐門。故,可大幅縮減爐管與爐門的拆卸更換時間,進而可增加產量。
本發明的另一方面是在提供一種擴散機臺,其可有效避免爐管損傷,因此可無需送修爐管或是降低送修的次數,進而可避免生產或實驗中斷,大幅縮減機臺的停機時間。
根據本發明的上述目的,提出一種擴散機臺。此擴散機臺包含一爐管、一爐門及一護蓋。爐管包括一開口與一第一表面,此第一表面位于開口的外周圍。爐門包括與第一表面對應的一第二表面,其中第二表面可與第一表面相互接觸。護蓋設于第一表面與第二表面中的至少一者上。
依據本發明的一實施例,上述的護蓋設置在第一表面上。
依據本發明的另一實施例,上述的護蓋具有二延伸部,此二延伸部分別垂直第一表面且同向延伸。
依據本發明的又一實施例,上述的二延伸部分別接觸爐管的開口處的內管壁與外管壁。
依據本發明的再一實施例,上述的護蓋配置在第二表面上。
依據本發明的再一實施例,上述的護蓋包括一第一單元與一第二單元,第一單元設置在第一表面上,第二單元設置在第二表面上。
依據本發明的再一實施例,上述的護蓋的材質包括石英。
依據本發明的再一實施例,上述的爐門閉合于爐管的開口時,第一表面、護蓋與第二表面依序彼此接觸。
依據本發明的再一實施例,于上述的爐門閉合于爐管的開口時,第一表面與第二表面相互平行。
附圖說明
為讓本發明的上述和其他目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂,所附附圖的說明如下:
圖1是繪示依照本發明的一實施方式的一種擴散機臺的剖面示意圖;
圖2是繪示圖1的擴散機臺的局部放大圖;
圖3是繪示依照本發明的一實施方式的一種護蓋的第一單元的立體圖;
圖4是繪示依照本發明的一實施方式的一種護蓋的第二單元的立體圖。
【主要元件符號說明】
100:擴散機臺????????????102:爐管
104:開口????????????????106:進氣口
108:爐門????????????????110:第一單元
112:第二單元????????????114:護蓋
116:第一表面??????????118:第二表面
120:延伸部????????????122:延伸部
124:內管壁????????????126:外管壁
128:保護部????????????130:保護部
132:延伸部????????????134:卡勾
136:反應腔室??????????138:外側面
140:底面
具體實施方式
請參照圖1與圖2,其是分別繪示依照本發明的一實施方式的一種擴散機臺的剖面示意圖、以及圖1的擴散機臺的局部放大圖。在本實施方式中,擴散機臺100主要可包含爐管102、爐門108與護蓋114。在一實施例中,擴散機臺100可適用以進行太陽能電池的擴散制程。由于擴散制程的反應溫度通常相當高,因此爐管102、爐門108與護蓋114的材質可包含石英。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





