[發(fā)明專利]擴(kuò)散機(jī)臺(tái)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210389832.8 | 申請(qǐng)日： | 2012-10-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103730388A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 邱世維 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 茂迪股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/67 | 分類號(hào)： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新北市*** | 國省代碼： | 中國臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 擴(kuò)散 機(jī)臺(tái) | ||
1.一種擴(kuò)散機(jī)臺(tái)，其特征在于，包含：
一爐管，包括一開口與一第一表面，該第一表面位于該開口的外周圍；
一爐門，包括與該第一表面對(duì)應(yīng)的一第二表面，其中該第二表面可與該第一表面相互接觸；及
一護(hù)蓋，設(shè)于該第一表面與該第二表面中的至少一者上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散機(jī)臺(tái)，其特征在于，該護(hù)蓋設(shè)置在該第一表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散機(jī)臺(tái)，其特征在于，該護(hù)蓋具有二延伸部，該二延伸部分別垂直該第一表面且同向延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的擴(kuò)散機(jī)臺(tái)，其特征在于，該二延伸部分別接觸該爐管的該開口處的內(nèi)管壁與外管壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散機(jī)臺(tái)，其特征在于，該護(hù)蓋配置在該第二表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散機(jī)臺(tái)，其特征在于，該護(hù)蓋包括一第一單元與一第二單元，該第一單元設(shè)置在該第一表面上，該第二單元設(shè)置在該第二表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的擴(kuò)散機(jī)臺(tái)，其特征在于，該護(hù)蓋的材質(zhì)包括石英。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散機(jī)臺(tái)，其特征在于，該爐門閉合于該爐管的該開口時(shí)，該第一表面、該護(hù)蓋與該第二表面依序彼此接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散機(jī)臺(tái)，其特征在于，于該爐門閉合于該爐管的該開口時(shí)，該第一表面與該第二表面相互平行。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于茂迪股份有限公司，未經(jīng)茂迪股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210389832.8/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
