[發(fā)明專利]具有光學(xué)隔離的通道孔與鄰近修正特征的掩模及制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210388759.2 | 申請日: | 2012-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN103728828B | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝志昌;陳士弘;呂函庭 | 申請(專利權(quán))人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;H01L21/027;H01L21/02;H01L27/10 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 光學(xué) 隔離 通道 鄰近 修正 特征 制造 方法 | ||
1.一種光刻掩模,包括:
多個通道孔圖案,位于一掩模上,該掩模界定一晶片上的多個通道孔,該多個通道孔圖案在該掩模上具有位于在該掩模上的具有一列間距的一組鄰近的通道孔列位置,以及在該掩模上具有一行間距的一組鄰近的通道孔行位置的特定交點的多個通道孔位置,該多個通道孔圖案包括多個通道孔特征及關(guān)于該多個通道孔特征的多個光學(xué)鄰近效應(yīng)修正特征的組合,該組合具有在該掩模上大于該行間距的一長度,以及在該掩模上大于該列間距的一寬度,且該多個通道孔圖案中的每個通道孔圖案與其他通道孔圖案不重疊;
其中在該組鄰近的通道孔行位置的鄰近行中的多個通道孔位置的列之間的一第一整數(shù)差異等于R列的一通道孔列間距整數(shù),而在該組鄰近的通道孔列位置的鄰近列中的多個通道孔位置的行之間的一第二整數(shù)差異等于C行的一通道孔行間距整數(shù),其中一整數(shù)D等于下述的其中一個:
(i)該多個通道孔圖案的數(shù)目的一整數(shù)N的一平方根,補足尾數(shù)至一最靠近的較高整數(shù);以及
(ii)該多個通道孔圖案的數(shù)目的該整數(shù)N的該平方根,舍去尾數(shù)至一最靠近的較低整數(shù),且
該整數(shù)D等于R列的該通道孔列間距整數(shù)與C行的該通道孔行間距整數(shù)的至少一個。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模,其中一單元胞包括具有一組相對于彼此的相對位置的多個通道孔圖案,且該掩模更包括額外多個通道孔圖案,其被包括在該單元胞的一副本中,該額外多個通道孔圖案具有由該單元胞的該副本的安置所決定的多個額外通道孔位置,
其中一零余數(shù)起因于下述的至少一者:
(i)該多個通道孔圖案的數(shù)目的一整數(shù)N除以R列的該通道孔列間距整數(shù),以及
(ii)該多個通道孔圖案的數(shù)目的該整數(shù)N除以C行的該行間距整數(shù),且
滿足該單元胞與具有鄰近位置的該單元胞的該副本,該零余數(shù)表示單元胞中的該多個通道孔位置的一第一通道孔位置以及該單元胞的該副本中的該多個額外通道孔位置的一第二通道孔位置位于該組鄰近的通道孔列位置的鄰近列以及該組鄰近的通道孔行位置的鄰近行中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模,其中一單元胞包括具有一組相對于彼此的相對位置的多個通道孔圖案,且該掩模更包括額外多個通道孔圖案,其被包括在該單元胞的一副本中,該額外多個通道孔圖案具有由該單元胞的該副本的安置所決定的多個額外通道孔位置,
其中一非零余數(shù)起因于下述的至少一者:
(i)該多個通道孔圖案的數(shù)目的一整數(shù)N除以R列的該通道孔列間距整數(shù),以及
(ii)該多個通道孔圖案的數(shù)目的該整數(shù)N除以C行的該行間距整數(shù),且
滿足該單元胞與具有鄰近位置的該單元胞的該副本,該非零余數(shù)表示在該單元胞中的多個通道孔位置與在該單元胞的該副本中的多個額外通道孔位置是被下述的一個或多個隔開:(i)該組鄰近的通道孔列位置的至少一中介列,以及(ii)該組鄰近的通道孔行位置的至少一中介行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模,其中該多個光學(xué)鄰近效應(yīng)修正特征包括多個散射條。
5.一種集成電路布局的制造方法,包括:
利用一計算機系統(tǒng)將多個通道孔圖案安置在定義一晶片上的多個通道孔的一掩模的一設(shè)計上,該多個通道孔圖案在該掩模上具有位于在該掩模上的具有一列間距的一組鄰近的通道孔列位置以及在該掩模上具有一行間距的一組鄰近的通道孔行位置的特定交點的多個通道孔位置,該多個通道孔圖案中的包括多個通道孔特征以及關(guān)于該多個通道孔特征的多個光學(xué)鄰近效應(yīng)修正特征的組合,該組合具有大于該行間距的一長度及大于該列間距的一寬度,且該多個通道孔圖案中每個通道孔圖案與其他通道孔圖案不重疊;
其中在該組鄰近的通道孔行位置的鄰近行中的多個通道孔位置的列之間的一第一整數(shù)差異等于R列的一通道孔列間距整數(shù),而在該組鄰近的通道孔列位置的鄰近列中的多個通道孔位置的行之間的一第二整數(shù)差異等于C行的一通道孔行間距整數(shù),其中一整數(shù)D等于下述的其中一個:
(i)該多個通道孔圖案的數(shù)目的一整數(shù)N的一平方根,補足尾數(shù)至一最靠近的較高整數(shù);以及
(ii)該多個通道孔圖案的數(shù)目的該整數(shù)N的該平方根,舍去尾數(shù)至一最靠近的較低整數(shù),且
該整數(shù)D等于R列的該通道孔列間距整數(shù)與C行的該通道孔行間距整數(shù)的至少一個。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





