[發明專利]顯示裝置、電子設備及該顯示裝置的制造方法有效
| 申請號: | 201210385676.8 | 申請日: | 2005-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN103022073A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 山崎舜平 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 電子設備 制造 方法 | ||
1.?一種有源矩陣型顯示裝置,包含:
在第一基板上的薄膜晶體管;
在所述薄膜晶體管上的第一絕緣層;
在所述第一絕緣層上的象素電極,所述象素電極電連接到所述薄膜晶體管;
覆蓋所述象素電極的端部的第二絕緣層;
在所述第二絕緣層上并與其直接接觸的第三絕緣層;
在所述象素電極上的、包含有機材料的發光層;
在所述發光層上的第二電極;
在所述第二電極上并與其直接接觸的、包含氮化硅的層;以及
在所述包含氮化硅的層上的第二基板,所述第二基板固定到所述第一基板,
其中,所述第二電極覆蓋所述第三絕緣層。
2.?如權利要求1所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述薄膜晶體管是開關元件。
3.?如權利要求1所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述第三絕緣層包含有機樹脂。
4.?如權利要求1所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述第二基板設置有彩色濾色器。
5.?如權利要求1所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述發光層能夠發出白光。
6.?如權利要求1所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述第二絕緣層和所述第三絕緣層由相同的有機樹脂材料制成。
7.?如權利要求1所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述第一絕緣層包含選自氮化硅、聚酰亞胺及丙烯酸的材料。
8.?如權利要求1所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述第二絕緣層包含聚酰亞胺。
9.?如權利要求1所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述包含氮化硅的層與所述第二基板直接接觸。
10.?如權利要求1所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述第二基板位于所述第三絕緣層上,所述第二基板和所述第三絕緣層之間隔有空間。
11.?一種包含如權利要求1所述的有源矩陣型顯示裝置的顯示組件,包含FPC。
12.?一種包含如權利要求1所述的有源矩陣型顯示裝置的電子設備,至少包含天線、電池和操作鍵中一個。
13.?一種有源矩陣型顯示裝置,包含:
在第一基板上的薄膜晶體管;
在所述薄膜晶體管上的第一絕緣層;
在所述第一絕緣層上的象素電極,所述象素電極電連接到所述薄膜晶體管;
覆蓋所述象素電極的端部的第二絕緣層;
在所述第二絕緣層上并與其直接接觸的第三絕緣層;
在所述象素電極上的、包含有機材料的發光層;
在所述發光層上的第二電極,其中所述第二電極能夠透過由所述發光層發出的光;
在所述第二電極上并與其直接接觸的、包含氮化硅的層;以及
在所述包含氮化硅的層上的第二基板,所述第二基板固定到所述第一基板,
其中,所述有源矩陣型顯示裝置配置成發出通過所述第二基板的光,以及
其中,所述第二電極覆蓋所述第三絕緣層。
14.?如權利要求13所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述薄膜晶體管是開關元件。
15.?如權利要求13所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述第三絕緣層包含有機樹脂。
16.?如權利要求13所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述第二基板設置有彩色濾色器。
17.?如權利要求13所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述發光層能夠發出白光。
18.?如權利要求13所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述第二絕緣層和所述第三絕緣層由相同的有機樹脂材料制成。
19.?如權利要求13所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述第一絕緣層包含選自氮化硅、聚酰亞胺及丙烯酸的材料。
20.?如權利要求13所述的有源矩陣型顯示裝置,
其中,所述第二絕緣層包含聚酰亞胺。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





