[發明專利]畫素結構及畫素結構的制作方法

有效

• 申請號: 201210385263.X
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN102881655A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 黃國有;張瑋倫;陳茂松
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭蔚

1.一種畫素結構的制作方法，包括：

于一基板上形成一薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括一第一電極；

于該基板上形成一第一絕緣層，覆蓋該第一電極；

于該基板上形成一平坦層，覆蓋該第一絕緣層且具有一第一開口，該第一開口暴露位于該第一電極上方的該第一絕緣層；

于該平坦層上形成一第一導電層，該第一導電層填入該第一開口中；

于該第一導電層上形成一圖案化光阻層，該圖案化光阻層具有一蝕刻開口，該蝕刻開口暴露出位于該第一電極上方的該第一導電層；

對該第一導電層進行一濕式蝕刻制程，該濕式蝕刻制程以該圖案化光阻層為罩幕，經由該蝕刻開口移除位于該第一電極上方的該第一導電層，并且側向蝕刻位于該圖案化光阻層下的部分該第一導電層，以形成一圖案化第一導電層，其中該圖案化第一導電層具有一第二開口，該第二開口位于該第一開口內，且暴露出位于該第一電極上方的該第一絕緣層；

對該第一絕緣層進行一干式蝕刻制程，該干式蝕刻制程以該圖案化光阻層為罩幕，經由該蝕刻開口移除位于該第一電極上方的該第一絕緣層，以形成一圖案化第一絕緣層，其中該圖案化第一絕緣層具有一暴露出該第一電極的第三開口，該第三開口小于該第二開口，且該第三開口自行對準于該第二開口內；

移除該圖案化光阻層；

于該圖案化第一導電層上形成一圖案化第二絕緣層，該圖案化第二絕緣層覆蓋該圖案化第一導電層以及該第二開口內暴露出的部分該第一絕緣層，該圖案化第二絕緣層具有一第四開口，該第四開口位于該第三開口內，且暴露出部分該第一電極；以及

于該圖案化第二絕緣層上形成一圖案化第二導電層，該圖案化第二導電層經由該第四開口與該第一電極電性連接。

2.根據權利要求1所述的畫素結構的制作方法，其特征在于，該第一電極包括一漏極電極。

3.根據權利要求1所述的畫素結構的制作方法，其特征在于，該平坦層包括一有機材料層。

4.根據權利要求1所述的畫素結構的制作方法，其特征在于，該第一開口具有一第一頂部直徑，該第二開口具有一第二頂部直徑，該第二頂部直徑小于該第一頂部直徑。

5.根據權利要求1所述的畫素結構的制作方法，其特征在于，該第一開口具有一第一底部直徑，該第二開口具有一第二底部直徑，該第二底部直徑大于該第一底部直徑。

6.根據權利要求1所述的畫素結構的制作方法，其特征在于，該第二開口的頂部邊緣與該第一開口的頂部邊緣之間的水平距離介于0.01μm至10μm。

7.根據權利要求1所述的畫素結構的制作方法，其特征在于，該圖案化第二絕緣層覆蓋該圖案化第一導電層，以及該第二開口內暴露出的部分該第一絕緣層，使該圖案化第一導電層與該第一電極、該圖案化第二導電層電性絕緣。

8.根據權利要求1所述的畫素結構的制作方法，其特征在于，該第三開口的頂部直徑實質上小于該第二開口的頂部直徑。

9.根據權利要求1所述的畫素結構的制作方法，其特征在于，該第三開口的頂部邊緣與該第二開口的頂部邊緣之間的水平距離介于0.01μm至3.0μm。

10.根據權利要求1所述的畫素結構的制作方法，其特征在于，該圖案化第一導電層與該圖案化第二導電層的材質分別包括一透明導電材料。

11.根據權利要求1所述的畫素結構的制作方法，其特征在于，該薄膜晶體管的制造方法包括：

于該基板上形成一柵極；

于該基板上形成一柵介電層，該柵介電層覆蓋該柵極；

于該柵介電層上形成一通道層，對準該柵極；以及

于該通道層兩側上形成該第一電極與一第二電極，且該第一電極與該第二電極電性連接該通道層。