[發明專利]自鎖圓片鍵合結構及制作方法

無效

• 申請號: 201210382727.1
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN102874739A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 徐德輝;熊斌;吳國強;姚邵康;張德陽;王躍林
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C3/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種自鎖圓片鍵合結構，其特征在于，所述自鎖圓片鍵合結構包括設有凹槽結構的鍵合下圓片以及設有凸臺結構的鍵合上圓片；所述鍵合下圓片與所述鍵合上圓片通過所述凹槽結構與凸臺結構的配合鍵合鑲嵌在一起，形成自鎖結構。

2.根據權利要求1所述的自鎖圓片鍵合結構，其特征在于，所述凸臺結構的高度大于或等于凹槽結構的深度。

3.根據權利要求1所述的自鎖圓片鍵合結構，其特征在于，所述凹槽結構內設有鍵合材料層，所述鍵合材料層的厚度與所述凸臺結構的高度之和大于或等于所述凹槽結構的深度。

4.根據權利要求1所述的自鎖圓片鍵合結構，其特征在于，所述凹槽結構或所述臺外設有鍵合材料層，所述鍵合材料層的厚度小于所述凸臺結構的高度；所述凸臺結構與所述凹槽結構接觸配合。

5.根據權利要求1至4任意一項所述的自鎖圓片鍵合結構，其特征在于，所述鍵合下圓片上設有電路結構；所述鍵合上圓片上設有傳感器微結構。

6.一種自鎖圓片鍵合結構制作方法，其特征在于，該制作方法包括以下步驟：

1）在鍵合下圓片上制作凹槽結構；

2）在鍵合上圓片上制作凸臺結構；

3）將鍵合下圓片和鍵合上圓片進行對準鍵合。

7.根據權利要求6所述的自鎖圓片鍵合結構制作方法，其特征在于，在形成步驟1）中的凹槽結構后在其內部沉積形成第一鍵合材料層；在形成步驟2）中的凸臺結構后在其上部沉積形成第二鍵合材料層；所述第一鍵合材料層、第二鍵合材料層的厚度和與所述凸臺結構的高度之和大于或等于所述凹槽結構的深度。

8.根據權利要求6或7所述的自鎖圓片鍵合結構制作方法，其特征在于，所述步驟1）上的鍵合下圓片上設有第一薄膜層，所述凹槽結構形成于該第一薄膜層中；所述步驟2）上的鍵合上圓片上設有第二薄膜層，所述凹槽結構形成于該第二薄膜層中。

9.根據權利要求6所述的自鎖圓片鍵合結構制作方法，其特征在于，所述步驟1）在鍵合下圓片上制作凹槽結構之前還包括制備電路結構的步驟；所述步驟2）在鍵合上圓片上制作凸臺結構之前還包括制備傳感器微結構的步驟。