[發明專利]新三層膜結構的光掩膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201210379702.6
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN103235480A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 李弋舟;蕭訓山;徐根;李偉;顏春李
• 申請（專利權）人: 湖南普照信息材料有限公司;湖南電子信息產業集團有限公司
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26;G03F1/46;B32B33/00;B32B9/04;B32B17/06
• 代理公司: 暫無信息
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1.一種新三層膜結構的光掩膜，包括玻璃基片、阻擋層、遮光膜層及減反射膜層，所述阻擋層、遮光膜層及減反射膜層依次鍍在所述玻璃基片上，其特征在于：所述阻擋層、遮光膜層及減反射膜層三層膜中至少有一層含有碳成分。

2.根據權利要求1所述的新三層膜結構的光掩膜，其特征在于：所述阻擋層、遮光膜層及減反射膜層分別為鉻氧化物阻擋層、鉻碳氮化物遮光膜層與鉻碳氮氧化物減反射膜層。

3.根據權利要求1所述的新三層膜結構的光掩膜，其特征在于：所述阻擋層、遮光膜層及減反射膜層分別為鉻碳氮氧化物阻擋層、鉻氮化物遮光膜層與鉻碳氮氧化物減反射膜層。

4.根據權利要求1所述的新三層膜結構的光掩膜，其特征在于：所述阻擋層、遮光膜層及減反射膜層分別為鉻碳氮氧化物阻擋層、鉻碳氮化物遮光膜層與鉻氮氧化物減反射膜層。

5.根據權利要求1所述的新三層膜結構的光掩膜，其特征在于：所述阻擋層、遮光膜層及減反射膜層分別為鉻碳氮氧化物阻擋層、鉻碳氮化物遮光膜層、鉻碳氮氧化物減反射膜層。

6.根據權利要求1-5任一項所述的新三層膜結構的光掩膜，其特征在于：所述玻璃基片為鈉鈣玻璃基片、石英玻璃基片、硼硅玻璃基片或白冕玻璃基片。

7.根據權利要求5所述的新三層膜結構的光掩膜，其特征在于：所述鉻碳氮氧化物阻擋層的厚度為所述鉻碳氮化物遮光膜層的厚度為所述鉻碳氮氧化物減反射膜層的厚度為

8.根據權利要求5所述的新三層膜結構的光掩膜，其特征在于，所述光掩膜具有如下光學參數：背面反射率BF％大于30％，光密度OD在450nm處為2.8-3.3，底部波長420-460nm，正面最低點反射率R％為9％-13％。

9.權利要求5、7或8所述的新三層膜結構的光掩膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)提供一個或多個Cr靶材，用真空磁控濺射方法將鉻碳氮氧化物阻擋層鍍在玻璃基片上形成帶阻擋層的單層膜玻璃板，玻璃襯底溫度為80-200℃，采用的制程氣體為Ar，N₂，CO₂，O₂；

(2)用真空磁控濺射方法將鉻碳氮化物遮光膜層鍍在步驟(1)獲得的單層膜玻璃板上形成帶阻擋層和遮光膜層的雙層膜玻璃板，采用的制程氣體為Ar、CH₄、N₂；

(3)用真空磁控濺射方法將鉻碳氮氧化物減反射膜層鍍在步驟(2)獲得的雙層膜玻璃板上，采用的制程氣體為Ar，N₂，CO₂，O₂。