[發(fā)明專利]MOS晶體管及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210378742.9
• 申請(qǐng)日: 2012-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103715133A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹國(guó)豪;蒲賢勇;洪中山
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/28;H01L21/336;H01L23/528;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種MOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有源區(qū)和包圍所述有源區(qū)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

在所述有源區(qū)表面形成柵極結(jié)構(gòu)，在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)表面形成偽柵結(jié)構(gòu)；

在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的有源區(qū)內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)；

在所述源區(qū)表面、漏區(qū)表面、偽柵結(jié)構(gòu)的至少部分頂部表面形成互連層，其中，所述源區(qū)表面的互連層和與源區(qū)相鄰的偽柵結(jié)構(gòu)頂部表面的互連層相連接，形成第一互連層；所述漏區(qū)表面的互連層和與漏區(qū)相鄰的偽柵結(jié)構(gòu)頂部表面的互連層相連接，形成第二互連層。

2.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述互連層為金屬層、摻雜有雜質(zhì)離子的單晶硅層、摻雜有雜質(zhì)離子的鍺硅層或摻雜有雜質(zhì)離子的碳化硅層。

3.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成第一側(cè)墻，在所述偽柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成第二側(cè)墻。

4.如權(quán)利要求3所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，在形成互連層前，去除所述偽柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二側(cè)墻。

5.如權(quán)利要求3所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，在形成互連層前，去除所述偽柵結(jié)構(gòu)靠近源區(qū)或漏區(qū)一側(cè)的第二側(cè)墻。

6.如權(quán)利要求4或5所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，當(dāng)所述互連層為摻雜有雜質(zhì)離子的單晶硅層、摻雜有雜質(zhì)離子的鍺硅層或摻雜有雜質(zhì)離子的碳化硅層時(shí)，利用外延工藝在所述源區(qū)表面、漏區(qū)表面、偽柵結(jié)構(gòu)靠近源區(qū)或漏區(qū)一側(cè)的側(cè)壁表面和至少部分頂部表面形成互連層。

7.如權(quán)利要求4所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述互連層為摻雜有雜質(zhì)離子的單晶硅層、摻雜有雜質(zhì)離子的鍺硅層或摻雜有雜質(zhì)離子的碳化硅層時(shí)，利用外延工藝在所述源區(qū)表面、漏區(qū)表面、偽柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁表面和頂部表面形成互連層。

8.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述偽柵結(jié)構(gòu)完全位于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)表面。

9.如權(quán)利要求8所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，當(dāng)所述偽柵結(jié)構(gòu)靠近源區(qū)或漏區(qū)一側(cè)的側(cè)壁與對(duì)應(yīng)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)邊緣具有一定的間距時(shí)，所述外延工藝形成的互連層的厚度大于偽柵結(jié)構(gòu)靠近源區(qū)或漏區(qū)一側(cè)的側(cè)壁與對(duì)應(yīng)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)邊緣兩者之間的間距。

10.如權(quán)利要求8所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述位于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)表面的偽柵結(jié)構(gòu)作為互連結(jié)構(gòu)與其他MOS晶體管相連接。

11.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，在所述偽柵結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)電插塞，使得源區(qū)和漏區(qū)通過(guò)互連層、導(dǎo)電插塞與外電路相連接。

12.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述偽柵結(jié)構(gòu)部分位于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)表面、部分位于對(duì)應(yīng)的有源區(qū)表面。

13.如權(quán)利要求1所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)和偽柵結(jié)構(gòu)在同一形成工藝中同步形成。

14.如權(quán)利要求3所述的MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻和第二側(cè)墻在同一形成工藝中同步形成。

15.一種MOS晶體管，其特征在于，包括：半導(dǎo)體襯底，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的有源區(qū)，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的包圍所述有源區(qū)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；位于所述有源區(qū)表面的柵極結(jié)構(gòu)，位于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)表面的偽柵結(jié)構(gòu)；位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的有源區(qū)內(nèi)的源區(qū)和漏區(qū)；位于所述源區(qū)表面和與源區(qū)相鄰的偽柵結(jié)構(gòu)頂部表面的第一互連層，位于所述漏區(qū)表面和與漏區(qū)相鄰的偽柵結(jié)構(gòu)頂部表面的第二互連層。

16.如權(quán)利要求15所述的MOS晶體管，其特征在于，所述互連層為金屬層、摻雜有雜質(zhì)離子的單晶硅層、摻雜有雜質(zhì)離子的鍺硅層或摻雜有雜質(zhì)離子的碳化硅層。

17.如權(quán)利要求15所述的MOS晶體管，其特征在于，還包括，位于所述偽柵結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離源區(qū)或漏區(qū)一側(cè)的第二側(cè)墻，在所述源區(qū)表面、與源區(qū)相鄰的偽柵結(jié)構(gòu)的頂部表面和偽柵結(jié)構(gòu)靠近源區(qū)的側(cè)壁表面形成有第一互連層。